计算——IGBT死区时间

作者: 蓝自由 | 来源:发表于2017-11-16 20:21 被阅读0次

什么是IGBT死区时间?

上图的两路波形分别是上下桥臂的PWM,示波器的光标(垂直虚线)卡的就是IGBT的死区时间。此时间上下桥同时处于关闭状态。

设定死区时间的作用?

为了使IGBT工作可靠,避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通,也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断,而另一桥臂又 处于导通状态,避免直通炸模块。

死区时间大,模块工作更加可靠,但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小,输出波形要好一些,只是会降低可靠性,一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的,只取决于功率元件制作工艺。

死区时间的计算?

TD:死区时间;

Toff: IGBT关断延迟时间(Turn-off delay time);Ton: IGBT开通延迟时间(Turn-on delay time);

Tf:上升时间;Tr:下降时间;

TPHL :驱动芯片关断延迟时间;TPLH :驱动芯片开通延迟时间

                     FS820R08A6P2B 参数                                            1ED020I12FA2 参数

TD=[(1.05+0.05)-(0.27+0.07)+(0.225-0.160)]×1.5 = 1.24 us

(备注:计算值只能作为参考,具体设定需看测试结果)

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