ReRAM(非易失性阻变式存储器)已经在中芯国际正式投入生产

有消息称，中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)已经在中芯国际正式投入生产！

Crossbar公司成立于2010年，拿到了包括中国北极光创投在内提供的8000万美元风投，2016年3月宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场，中芯国际将采用自家的40nm CMOS工艺试产ReRAM芯片。ReRAM代表电阻式RAM，是将DRAM的读写速度与NAND的非易失性集于一身的新一代存储技术，关闭电源后仍能保存数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的计算机将几乎不再需要载入时间。

ReRAM的名字中虽然带有RAM，但机制和用途其实更像NAND闪存，主要用作数据存储。

ReRAM的性能十分彪悍，号称存储密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的单芯片即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

与传统的NAND闪存相比，ReRAM速度快的多，位元可修改，并且所需电压更低，这都使得它可以被应用于嵌入式和SSD设备之中。

而且不同于NAND闪存对于更新工艺的不适应，ReRAM的扩展性更好，远景可以做到5nm。

另外，更先进的28nm ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。