FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 115pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 EMT3
封装/外壳 SC-75，SOT-416
RZE002P02TL规格 FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 20V...
详细分析LoadRunner参数化
Nginx配置参数中文详细说明
TS420-600B-TR详细参数： ...
1 参数调试 1.1 GC日志参数 -XX:+PrintGCDetails 打印GC详细日志 -XX:+HeapD...
MC7812BTG详细参数介绍 详细参数 集成电路类型：稳压器 电压调节器种类：固定, 线性 电压降：2V 封装：...
修改用户信息： 用法：usermod [参数] 用户名 详细参数： -c, --comment注释 GECOS字...
wiki原文：http://wiki.ros.org/teb_local_planner
Date()函数详细参数[https://www.cnblogs.com/xingmeng/archive/201...
显示安装详细信息 npm install --verbose在安装命令添加参数--verbose看打印详细信息
本文标题：RZE002P02TL详细参数
本文链接：https://www.haomeiwen.com/subject/cxvvfctx.html
网友评论