RZE002P02TL详细参数

RZE002P02TL规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 115pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 EMT3

封装/外壳 SC-75，SOT-416