一文了解MR25H10CDF
介绍
MR25H10CDF是1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织为131,072字的8位。 MR25H10CDF提供串行V EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，无写延迟和无限的读/写耐久性。
与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。 MR25H10CDF是必须使用少量I / O引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想存储器解决方案。
MR25H10CDF采用5 mm×6 mm 8引脚DFN封装或5mm x 6 mm 8引脚DFN小型封装。两者都兼容串行EEPROM，闪存和FeRAM产品。
MR25H10CDF可在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+ 85℃）和AEC-Q100 1级（-40℃至+ 125℃）工作温度范围选项。
特征
·没有写入延迟
·无限写耐力
·数据保留期超过20年
·断电时自动数据保护
·块写保护
·快速，简单的SPl接口，时钟速率高达40 MHz
·2.7至3.6伏电源范围
·低电流睡眠模式
·工业温度
·提供8引脚DFN或8引脚DFN小标志RoHS兼容封装
·直接替代串行EEPROM，闪存，FeRAM
·AEC-Q100 Grade 1Option
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