根据摩尔( Moore)定律，半导体芯片中可容纳的晶体管数目，大约每隔18个月便翻一番，性能也将提升一倍。芯片内晶体管的特征尺寸每年都在减小，这也导致晶体管的密度不断增大，这样一来，芯片内部模块集成度越来越高，测试的复杂度也逐渐升级。在半导体器件生产中，测试成为贯穿于集成电路设计、制造、保证芯片质量的重要环节，而漏电流是半导体测试极其重要的一项参数。
半导体器件在生产过程中，需要加入杂质离子，这样一来就难免会产生漏电流。漏电流过大，导致器件测试过程中功耗增加，温度升高，温度一升高又加剧内部漏电流增大，从而形成恶性循环，不但增加了电源系统的功耗，产生过多的噪声干扰，也在一定程度上缩短了半导体器件的使用寿命。
日本进口MOS FET光耦继电器模块G3VM-21MT，采用了T型电路结构，当主电路断开，子电路闭合时，漏电流可以低至1pA以下，特别适合应用于半导体测试设备中。
产品特性
采用超小型SMD封装，外形紧凑，节省了PCB布局空间。
通过T型电路设计，漏电流1pA以下，极大地减少了接入被测器件的漏电流。
由三个MOS FET继电器组成1组常开触点(SPST-NO) + T开关功能。
优秀的高频特性，1.5GHz时绝缘值高达20dB以上。
可靠性高，寿命长。
电气参数：
主要应用：
半导体测试设备
数据记录仪
信号发生器
广州鼎悦电子科技有限公司（www.dingyue-ele.com）， 提供(OMRON)多达200多种以上规格的MOS FET系列光耦继电器，产品丰富，配合超低漏电流型G3VM-21MT以及新推出的电压驱动型G3VM-31QV和G3VM-61QV，给您的产品设计选型提供了更多选择。
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