晶体管FQP3P50参数资料：
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：23nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 25V
功率耗散（最大值）：85W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.9 欧姆 @ 1.35A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB
封装/外壳：TO-220-3
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