N沟道增强型场效应管

N沟道增强型场效应管结构如下图所示：

N沟道增强型

连接 s 极和衬底，在 s 和 g 之间施加正向电压 Ugs，如下图所示：

排斥

此时，正电压排斥衬底中的空穴，使靠近金属的衬底形成负离子层；同时，PN 结正向偏执，N 中的自由电子吸引到负离子层。

此时，在 s 和 d 之间形成了一个 N 型沟道，称为反型层，如下图所示：

反型层

能够使沟道形成的电压称为开启电压，表示为 UGS。

沟道形成后，在 d 和 s 之间加正电压，d 会有电流产生。如下图所示：

漏电流

但是，当 d 和 s 间电压增大时，g 和 d 间电压减小，d 极 PN 结偏置被减弱，沟道开始变窄，直至当 Uds = UGS 时，出现夹断，称为预夹断，如下图所示：

预夹断

此时，再增加 d 、s 间电压，电流也不会有明显变化。

N沟道增强型场效应管输出特性曲线如下图所示：

输出特性曲线

在可变电阻区，Ugs 和 Uds 都会对输出漏电流产生影响。而在恒流区，仅 Ugs 对漏电流产生影响。

值得一提的是，当 MOS 管处于恒流区时，漏电流相当于一个由 Ugs 控制的电流源。

在 CCD 的读出中，使用到了这一结构：

CCD

这与「CCD 的输出相当于电流源」的结论吻合。

三极管2

上图中第二个三极管（下）用于清空电平，当三极管导通，s 极电子流向 d。反映在三极管的输出信号上，g 为高电平时，就是 CCD 输出信号参考电平前的峰值。

共源极放大电路

上图为经典的共源极放大电路。