ROHM MOSFET晶体管分立半导体 RTL8306E-CG的技术资料
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323FL-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 300 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: RU1C001UN
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 180 mS
下降时间: 38 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: RU1C001UN
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