在能源问题日益突出的现代，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的能效转换性能广发应用于功率电子领域。正确的IGBT测试技术，不仅能准确的测量IGBT各项电气指标，而且可以尽可能降低IGBT对整体电路的影响。常用的IGBT测量方法为：双脉冲测试方法，其通过对比不同的IGBT的参数，例如同一品牌的不同系 列的产品的参数，或者是不同品牌的IGBT的性能，获取IGBT在开关过程的主要参数，以评估Rgon及 Rgoff的数值是否合适，评估是否需要配吸收电路等，最终考量IGBT在变换器中工作时的实际表现。例如 二极管的反向恢复电流是否合适，关断时的电压尖 峰是否合适，开关过程是否有不合适的震荡等。
在主流的双脉冲测试平台中，用高压隔离探头取Vce电压，用罗氏线圈电流探头取Ic，用普通探头测量Vge信号。实验硬件包括：1. 高压电源 2. 电容组 3. 叠层直流母排 4. 负载电感（可以自己绕制，不要饱和即可） 5. 被测IGBT及驱动电路 6. 示波器（最好是4通道，高带宽） 7. 高压差分电压探头 8. 罗氏线圈电流探头 9. 可编程信号发生器或简易信号发生装置（发出一组双 脉冲信号）。
1. PEMUK的CWT Ultra Mini系列罗氏线圈，线圈采用非常细而且柔性的材料，甚至可以轻易地穿过IGBT的管脚。测量范围从测量范围：300mA～数MA；，且频率高达16MHz是IGBT测试和分析的最佳传感器。
2. Verivolt电压互感器，其满量程的测量范围从5V到5000V，且全范围内带宽50KHz，总体测量精度为0.2%。
原文出自：http://www.pemch.com/07-power-ind-5.html
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