层次结构存储系统
6.1 存储器概述
- 存储器分类
- 主存储器的组成和基本操作
- 存储器的主要性能指标
- 各类存储元件的特点
6.2 主存与CPU的连接及其读写
- 主存模块的连接和读写
- “装入”指令和“存储”指令操作过程
本章主要介绍层次化存储结构的几类存储器的工作原理和组织形式,主要包括:半导体随机存取存储器,只读存储器,Flash存储器,磁盘存储器等不同类型存储器的特点,存储芯片和CPU连接,高速缓存的基本原理以及虚拟存储系统的实现技术等。
6.1 存储器概述
6.1.1 存储器的分类
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按存储元件分类
- 半导体存储器
- 磁表面存储器
- 光盘存储器
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按存取方式分类
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随机存取存储器(RAM) 特点是按地址访问存储单元,因为每个地址译码时间相同,所以,在不考虑芯片内部缓冲的前提下,每个单元的访问时间是一个常数,与地址无关。存储介质是半导体存储器件
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顺序存取存储器(SAM)特点是信息按顺序存放和读出,其存取时间取决于信息存放位置,以记录块为单位编址。
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直接存取存储器(DAM)的存取方式兼有随机访问和顺序访问的特点。首先直接定位到需读写信息所在区域的开始处,然后按顺序方式存取。
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相联存储器 上述三类存储器都是按所需信息的地址访问,但有些情况下肯不知道所访问的信息的地址,只知道要访问信息的内容特征,此时,只能按内容检索到存储位置进行读写。这种存储器称为按内容访问存储器,也叫相联存储器。
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按信息的可更改性
- 读写存储器
- 只读存储器(ROM)
它们都采用随机存取的方式访问信息。
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按断电后的可保存性
- 非易失存储器
- 易失性存储器
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按功能
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高速缓冲存储器(cache) 位于主存和CPU之间,目前主要由静态RAM芯片组成,其存取速度接近CPU的工作速度,用来存放当前CPU经常使用到的指令和数据。
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主存储器 指令直接面向的存储器是主存储器。CPU执行指令时给出的存储地址最终必须转换为主存地址,若不采用虚拟存储器,则CPU直接给出主存地址。
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辅助存储器 系统运行时直接和主存交换设备的存储器称为辅助存储器,简称辅存。磁盘存储器比磁带和光盘存储器速度快。
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海量后备存储器 磁带存储器和光盘存储器容量大,速度慢,主要用于信息备份和脱机存档。
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6.1.2 主存储器的组成和基本操作
如图所示是主存储器的基本框图。其中一个个存储0或1的记忆单元(cell)构成的存储序列
是存储器的核心部分。这种记忆单元也称为存储体、存储矩阵。
主存储器的基本框图
为了存取存储体中的信息,必须对存储单元编号,所编号码就是地址。编制单元是指那些具有相同地址的那些位元构成的一个单位,可以是一个字节或者一个字。对各存储单元进行编号的方式称为编址方式,可以按字节编址,也可以按字编址。现在大多数通用计算机都采用字节编址方式,此时,存储体内一个地址中有一个字节。
如图所示,指令执行过程中需要访问主存时,CPU首先把需访问单元的地址送到主存中的地址寄存器,以便地址译码器进行译码后选中相应单元。同时,CPU将读/写控制信号通过控制线送到主存的读写控制电路。
- 如果是写操作,CPU同时将要写的信息送主存数据寄存器中。在读写控制电路的控制下,经数据线将信息写入选中的单元。
- 如果是读操作,则主存读出选中单元的内容送数据线,然后送到MDR中。数据线的读写宽度与MDR的宽度相同,地址线的宽度与MAR的宽度相同。
图中采用64位数据线,因此,在字节编址方式下,每次最多可以存取8个字节的内容。地址线的位数决定了主存地址空间的最大可寻址范围。例如,36位地址的最大可寻址范围为0~2^36-1。
6.1.3 存储器的主要性能指标
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存储器速度:可用访问时间、存储周期或存储器带宽来表示
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存储周期:存储器进行一次读写操作所需要的全部时间
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存储器带宽:表示存储器被连续访问时可以提供的数据传送速率,通常用每秒钟传送信息的位数(或字节数)来衡量。
6.1.4 各类存储元件的特点
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半导体器件
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随机存取存储器(RAM)
- 静态RAM(SRAM)
- 动态RAM(DRAM)
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只读存储器(ROM)
- 不可在线改写内容的ROM
- 闪存(Flash ROM)
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随机存取存储器(RAM)
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磁表面存储器
信息的存取主要由磁层和磁头来完成。磁层是存放信息的介质,磁头是实现“磁-电”和“电-磁”转换的元件。磁表面存储器读写时,一般使用磁头固定,而磁层做高速回转或匀速直线运动。在这种相对运动中,通过磁头进行信息存取。因此,其信息存取过程属于机械运动,速度很慢。
6.1.5 存储器的层次存储结构
数据使用时一般只在相邻两层之间复制传送,而且总是从慢速存储器复制到快速存储器。传送的单位是一个定长块,因此需要确定定长块的大小,并且在相邻两层间建立块之间的映射关系。
6.2 主存与CPU的连接及其读写操作
6.2.1 主存模块的连接和读写操作
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