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存储器知识

存储器知识

作者: 新是小新的心 | 来源:发表于2020-10-12 14:02 被阅读0次

存储器是用来存储程序代码和数据的部件,有了存储器计算机才具有记忆功能。

1.存储器种类

         存储器按存储介质特性主要分为:易失性存储器 和 非易失性存储器 。易失是指存储器掉电后,存储器的数据是否会丢失。

   2.易失存储器

RAM(Random Access Memory随机存储器):存储器中的消息被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置无关。

DRAM(Dynamic RAM动态随机存储器):存储单元以电容的电荷来表示数据,有电荷表示1,无电荷表示0,但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,因此他需要定期刷新操作,这就是动态特性。

SDRAM(Synchronous DRAM同步动态随机存储器):根据通讯方式,DRAM分为同步和异步两种,即是否需要时钟信号(只在上升沿表示有效数据),同步的通讯速度快,被称作SDRAM。

DDR  SDRAM(Double Date  Rate SDRAM高速动态随机存储器):通讯速度高的动态随机存储器,时钟信号的上升沿和下降沿各表示一个数据。

SRAM(Static RAM静态随机存储器):存储器以锁存器来存储数据,只要不断电数据一直在。

3.非易失性存储器

ROM(Read Only Memory  只读存储器):现在并非只读,可读可写,掉电 数据依然在。

MASK ROM(掩膜存储器):出局出厂就固化了,只能读,不可写。

OTPROM(One Time Programable  ROM 一次可编程存储器):出厂时里面没有数据,用户用专门的编程器将数据写入,只能写一次,往后不能再修改。

EPROM(Erasable Programable ROM 可重复擦写的存储器):写入和擦除都要专用的设备,已经基本淘汰。

EEPROM(Electrically  Erasable Programable ROM  电可擦除存储器):可以重复擦写,写入和擦除都是直接使用电路控制,按字节为单位修改数据,无需整个芯片擦除。

FLASH存储器(闪存):可以重复擦写的存储器,以多个字节为单位擦除,最小擦除单位为扇区。

NOR   FLASH  :数据写入前需要有擦除操作,地址线和数据线分开,可以按字节操作;支持XIP

(立即执行特性)

NAND FLASH :数据写入前需要有擦除操作,地址线和数据线共用,只能按 块 操作;不支持XIP;

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