双极型功率晶体管

　　双极型功率晶体管（bipolar power transistor）最普及的一种功率晶体管，通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。

　　通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。如图是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。

　　结构及工作原理

　　结构

　　如图图是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3普通NPN型器件结构

　　普通NPN型器件结构

　　为集电区，4为发射结，5为集电结。

　　图3是其工作原理（对于PNP型器件，则需要将两组电源极性反接），其中基极加0。6V左右的正向偏压，集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。

　　进展和应用

　　20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管，用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中最大的，80年代中期已有600A/150V、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。

　　功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路，工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时，GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管，GTR的开关频率较低（采用复合结构时，频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。

　　自80年代中期以来，GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶体管。

　　双极型功率晶体管BC847B技术参数

　　品牌：NXP

　　型号：BC847B

　　批号：1645+

　　封装：SOP

　　数量：2500

　　电压-集射极击穿（最大值）：45V

　　供应商器件封装：SOT-23-3

　　湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

　　晶体管类型：NPN

　　工作温度：150°C（TJ）

　　封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

　　对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求安装类型：表面贴装(SMT)包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）功率（最大值）：250mW

　　Vce饱和值（最大值）：600mV@5mA，100mA

　　电流-集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

　　电流放大倍数hFE（最小值）：200@2mA，5V

　　系列：-

　　跃迁频率：100MHz

　　集电极电流Ic（最大值）：100mA

　　零件状态：过期