终于来到了令人わくわく的编程环节了。
有好几个 PPT ，但是因为都是没公开的，我也不好放在这里，如果有需要，适当引用其内容。

1. 流水灯

又是一堆陌生名词，先来了解一下：

MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

查了半天我发现要深入理解这东西还要去修一门叫做 半导体物理与器件原理 的课程。
然后要修这门课程还要先修 统计物理 和 量子力学。
吐血……

半导体物理基础-概念梳理

硅，锗，等纯净晶体：本征半导体。
价电子获得足够能量，摆脱共价键的束缚，成为自由电子：本征激发。这个过程产生 电子-空穴 对。电子脱离价带，进入导带。
激发的逆过程：复合。

image.png

本征半导体导电能力很弱。
加入少量其他元素而显著提高其导电能力：掺杂。
通过掺杂得到杂质半导体：
{
N型：掺入 5 价原子，提供额外的自由电子，载流子主要来自施主电离（常温即可电离），故导电性与温度关系不大。
【N代表 Negative，载流子是带负电的电子】

image.png

P型 ：掺入 3 价原子，提供额外空穴。受主电离。
【P代表 Positive，载流子是带正电的空穴】
}
通过掺杂工艺，可以将半导体一边变为P型，另一边变为N型，那么在两部分的交接面处就会产生一个特殊性质的薄膜，称为 PN结。
【形成原理：】
N区 的多子（多数载流子）为电子，而P区的多子为空穴，由于载流子浓度差，出现了扩散现象（载流子从高浓度区域向低浓度区域迁移）。在交接面出相遇时，电子与空穴复合，从而P区界面呈现正电性，N区呈现负电性（还有一种抽象的解释是电子和空穴复合之后使离子“裸露”，见下图），之间形成电场（从N区指向P区）；电场会阻碍两区各自的多子扩散，同时促进少子漂移（少数载流子在电场作用下迁移），这个过程最终会趋于动态平衡，在这个电荷区域形成所谓的PN结。

PN结的形成

这里谈谈我自己的一种抽象：
自由电子在导带，而空穴在价带（导带和价带不是空间概念，而是能量概念，但是我觉得可以按照空间来类比理解）在一定程度上他们是互不影响的，可以认为分别在两个管道中流动。所以可以按照下图理解：

image.png

【PN结的单向导电性】
以下很多也是基于个人理解的，教材太坑，根本看不懂在说什么。

算了，弃坑了，这个东西一时半会儿看不完的，这个MOSFET还是先去抽象地理解它吧。（吐血）

MOSFET（抽象）：将输入电压的变化反映为输出电流变化的器件。

转来转去这么半天我已经忘了我为什么要去了解这个 MOSFET 了，哦，对了，一开始是推挽电路。

贴个链接算了。
如何正确的理解漏极开路输出跟推挽输出？ - 知乎

感觉做了半天无用功啊啊啊啊啊！！！

继续看教程吧。