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SI9435BDY-T1-E3详情资料

SI9435BDY-T1-E3详情资料

作者: 维库网Actgirly | 来源:发表于2019-07-05 16:32 被阅读0次

SI9435BDY-T1-E3规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 42 毫欧 @ 5.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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