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FQU5P20TU规格书资料

FQU5P20TU规格书资料

作者: 冰VIVI66 | 来源:发表于2019-07-13 10:01 被阅读0次

制造商编号:FQU5P20TU

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-251-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 3.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 6.3 mm 

长度: 6.8 mm 

系列: FQU5P20 

晶体管类型: 1 P-Channel 

类型: MOSFET 

宽度: 2.5 mm 

商标: ON Semiconductor / Fairchild 

正向跨导 - 最小值: 2.2 S 

下降时间: 25 ns 

产品类型: MOSFET 

上升时间: 70 ns 

工厂包装数量: 5040 

子类别: MOSFETs 

典型关闭延迟时间: 12 ns 

典型接通延迟时间: 9 ns 

单位重量: 343.080 mg

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