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为了确保Nwell 是enclosed（封闭）的，加在core 每row的首尾，以及blockage macro的周围，保证Nwell 的完整性。
ICC 命令：
因为本library中stdcell里面没有直接将衬底接在该接的电位，所以为了避免闩锁效应需要在一定间隔插入 tap cell。
如果不插入tie cell会导致闩锁效应，其是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。插入tie cell 会将PN结反偏。
ICC命令：
在这里要注意tap cell之间的间距
在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”
通常使用插入天线效应二极管的方法，在栅极加反偏二极管。
ICC 命令：
做为std cell 的filler ，为了填充std cell之间的空隙。主要是把扩散层连接起来满足DRC规则和设计需求，并形成power rails，没有metal。
有两种结构：
(1)gate connected to supply
cell 输入直接接VDD/VSS有去耦电容。
(2)cross_coupled structure
在VDD 和VSS之间有去耦电容，well是floating的，为了减少ground bounce（地弹）
ICC命令：
做为std cell 的filler ，为了填充std cell之间的空隙。主要是把扩散层连接起来满足DRC规则和设计需求，并形成power rails。为了减少ground bounce，well被tie在power rail，cell 里面有metal。
ICC 命令：
注意插时候先插入有metal的filler，后插入without metal filler cell
将输入接1’b0/ 1’b1的cell输入接TIELO /TIEHI
ICC命令：
spare cell是place之后插入的冗余的cell;post mask修改电路，添加逻辑使用spare cell; base 的mask不动，只修改metal layer的逻辑连接关系，实现逻辑修改。
ICC命令：
原文链接：https://www.likecs.com/show-204539013.html
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