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速度提升千倍,它们是SSD的终结者

速度提升千倍,它们是SSD的终结者

作者: 智储侠 | 来源:发表于2017-08-29 09:44 被阅读0次

    SSD发展现状

    随着社会、科技的不断的发展人们越发的注重电脑的速度了。要提升电脑速度,操作体验,就必须升级电脑的短板——电脑储存设备。固态硬盘迎合了人们的需求。SSD的速度是HDD望尘莫及的。因此SSD受到越来越多的追捧,逐渐普及起来。

    本以为SSD取代HDD是理所当然,大势所趋。但是随着SSD的发展,却出现了以下的这些问题:

    1.价格昂贵

    从16年开始,由于全球晶圆紧缺,SSD价格开始一路飙升。时至今日,SSD几乎涨价一倍。大容量的SSD价格不菲。这使得SSD消费市场出现了前所未有的萎缩,这也使得我们消费者只能把SSD当成一种辅助,对于HDD我们仍旧是无法舍弃。

    2.速度慢

    SATA SSD的读写速度的极限也只有600MB/S。而大多消费级SSD的速度大多在100-500MB/S。依然是电脑的短板。另外支持NVMe的SSD,读写速度虽然能够达到上千,但是发热量大的问题至今悬而未决。

    3.安全性较低

    虽然时至今日,大多数SSD的安全性是能够我们的需要。但是相对于HDD来说SSD的安全性能还是略有不足的。SSD的容错相对于HDD还是太低。这是一部分人对SSD不感兴趣的一个重要原因。

    相对于大多数人来说,其实SSD的速度、安全性已经OK了。享受现在,用几年再升级新的硬盘,符合我们的需求。真正最大的问题是,SSD的价格,太贵。

    为了解决SSD的价格昂贵这个问题,3D TLC NAND FLASH来了。

    3D TLC NAND FLASH比TLC NAND更加优秀。相对而言它拥有更快的速度,单位体积更低的价格等等。

    3D TLC NAND FLASH一经上市,人们便对其寄予厚望。3D TLC NAND FLASH纸币TLC NAND好一点,我们接受。只希望它的出现会使得SSD价格降下来。

    但是,现在3D TLC NAND FLASH的产量已经突破NANDFLASH的产量的50%了。3D TLC NAND FLASH也在SSD中广泛运用了。然而,SSD的价格依然在增长中。而3D TLC NAND FLASH的SSD价格居然更高!

    说好的救世主呢?3D TLC NAND FLASH不过来客串了一把。但是它吃掉的不仅仅只是盒饭!

    3D TLC NAND FLASH吃掉的是我们那“SSD回归性价比”的梦想。

    3D TLC NAND FLASH还不算完,继3D TLC NAND FLASH过后,万恶的QLC又被重新提起。今年又传出东芝、WD正共同研发QLC的消息。

    有点欺人太甚啊!鬼才再买!那些捧过3D TLC NAND FLASH的臭脚的玩家,早已血槽空了。

    SSD的终结者们

    人生最大的迷茫是,I have a dream, but I don’t know where the future is 。

    SSD的未来在哪里?

    一、相变内存(PCM)

    PCM结合了DRAM内存的高速存取,以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性,被业界视为未来闪存和内存的替代品。

    PCM功耗更低,单位体积的容量更大,并且PCM可以不擦除现有数据而写入新的数据,可以写入10万次以上,比现在的闪存寿命更长,并且它的速度比闪存快1000倍。

    2017年3月,Intel 公司发布了旗下 Optane 闪腾系列的第一个产品线 SSD DC P4800X。英特尔号称使用了PCM技术,并且称这是一款打破了内存和闪存界线的产品,它的速度比SSD 快1000倍。32GB 版本的最高速度为 1600MB/s,写入速度 500MB/s,4K 随机读写 300K/120K IOPS。请问1000倍在哪里?另外这款SSD的价格却是比一般SSD的三倍。

    从目前来看相变内存技术还有待发展。但是未来PCM却确实有望成为SSD、HDD、内存条的终结者,打破硬盘和内存的界限,让它们合而为一。

    二、磁性内存(MRAM)

    1995年摩托罗拉生产出一个MRAM芯片。2007年IBM和TDK,采用自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)的新型技术开发出新一代的MRAM。

    MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,也拥有动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM记录密度是DRAM的成百上千倍,速度也比所有现有的内存技术都要快得多。大密度、快访问、极省电、可复用和不易失是磁阻内存的五大优点。

    MARM的优秀远超现在和正在研究当中的所有储存技术,可说是一枝独秀。

    在2015年IBM推出了7纳米制程的MRAM芯片。现在IBM、罗方德、三星正在研究5纳米制程的芯片。

    目前MARM储存芯片已经慢慢开始被运用于军工领域。

    随着光刻技术的发展,MARM必将开始广泛的被运用于民用以及其他领域。

    届时硬盘、内存或许不再存在,一台电脑里一个MARM的储存设备就搞定。而且MARM将让电脑不再“等待/延时”。

    未来相变内存(PCM)、磁性内存(MRAM)都有望终结SSD(或内存条),实现内存、硬盘的统一。要实现这,可能还非常遥远。

    但是目前MRAM技术已经成熟,普及只是时间上的问题了。预计在不久的将来,消费级的MRAM硬盘可能首先到来。

    黎明之前

    黎明会到来的。在这PCM、MRAM还未彻底到来的黎明之前,在现在沸反盈天的SSD市场情况之下,我们需要耐心等待,理智消费。

    现在市场上的外国品牌的SSD/内存条产品溢价非常高,完全毫无性价比可言。因此如果大家需要升级SSD。我推荐大家先买个国产的SSD先用着。

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