EMI和EMC

EMI是电磁干扰发射；EMC是电磁兼容性；两者有关联也有差异，前者考核一台电子设备工作时对其他设备对影响，后者考核一台电子设备的防护能力。

现在EV的功率驱动正在从IGBT转向SiC和GaN，两者的开关动作更快，故此内耗较少、效率更高；但更快的开关动作带来了更严重的EMI和EMC挑战；根源在于高dv/dt和di/dt。

SiC的dv/dt轻易达到50KV/us，di/dt则跑到50KA/us，PWM的开关速度很容易跑到20KHz，而IGBT系统，水平高的厂家通常10～12KHz，水平不太高的则6～8KHz。

差别在哪里呢？开关快了，开关损耗小了，效率提高了，轻易做到98～99%的效率；同时，高压大电流切换带来的电压、电流震荡，不仅影响了自己的控制、驱动电路，也会影响其他邻近设备。

具体来说，三相电机驱动，某一桥臂开关时，三相输出点（桥臂中点）的电压可以冲到直流高压电源的一倍以上，即，600V的总线电压，过冲很容易摸高1200V。有些品牌的SiC器件耐压不过关，就很容易击穿了。

更多的时候，是由电流突变产生的震荡，通过杂散电感、分布电容耦合到前级，反射回来形成伪脉冲，导致不该开启的功率管导通而形成桥臂短路 这个时候，就要炸管子了。我们在实践中经常会遇到炸管子的情况，可以说，好的控制系统都是炸出来的，工程师的经验，也是炸出来的。

炸管子的危害是显性的，而EMI的危害是隐形的 其实危害更大。某根据经验估计，一个IGBT应用工程师转到SiC来，功率适应期要半年，EMI问题也得半年，才能把握好。如果不肯用功，那么需要两年才行。

其实，EMI是有规律可行的，设计时有一套成熟的规则，你只要认识到问题，承认问题的存在，并按照规则做，大多数问题都能解决或减弱。

麻烦的是你不知道问题的存在；或你知道，但你拿不出证据来，你的领导不承认，以为你在偷懒推脱。这时你就得设法说服领导了。无论如何，问题是躲不过去的。