1、特性参数
额定电压（VDSS、VGSS）、额定电流（ID(DC)、ID(Pulse)）、额定功耗（PT）、额定温度（Tch、Tctg）、热阻（热传导的难易程度）···
2、推荐选择MOS （实际设计应考虑最坏的条件）
器件的额定电压值 高于实际最大电压值20%
电流值 高于实际最大电流值20%
功耗值 高于实际最大功耗的50%
而实际沟道温度不应超过—125℃
MOSFET的雪崩击穿过程主要是由于寄生晶体管被激活造成的。MOSFET由于工作在高频状态下，其热应力、电应力环境都比较恶劣，一般认为如果外部电气条件达到寄生三极管的导通门槛值，则会引起MOSFET故障。
3、电特性
漏电流（IDSS、IGSS）、栅极阈值电压（VGS(off)或VGS(th)、正向传导系数（yfs：单位VGS的变化所引起的漏极电流ID的变化）、导通阻抗（RDS(ON)）、内部电容（Ciss、Coss、Crss）、电荷量（QG、QGS、QGD）、开关时间（Td(on)、tr、Td(off)、tf）、内部二极管（VGS、反向恢复时间trr、反向恢复电荷量Qrr）
A、在使用温度范围内栅极的噪声必须控制在阈值以下，若超过阈值电压，则会发生误操作。
B、在作为负载开关用时，若是电容性负载，则进入ON状态时，因为给电容充电需要过渡电流，如果yfs太小，有时会出现开关不动作的现象。、
C、栅极阈值电压：MOS的VDS=10V，ID=1mA时的栅极电压
D、QG：栅极的总电荷量，VGS=10V时，达到导通状态所需的电荷量。
E、二极管可视为一种电容。积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为trr。另外，由于反向恢复时，处于短路状态，损耗很大。因此内部寄生二极管的电容特性使MOSFET开关频率受到限制。
4、功率MOS期间的设计要求
1）功率场效应管对栅极驱动电路的要求：
① 触发脉冲须具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；
② 开通时，以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；
③ 为了使功率MOSFET可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压，为了防止误导通，在功率MOSFET截止时最好能提供负的栅-源电压；
④ 功率MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电电流，为了使开关波形有足够的上升和下降陡度，驱动电流要大。
2）过电压保护
① 防止栅-源过电压。如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅-源尖峰电压。这一电压会使栅源氧化层击穿，造成永久性损坏。如果是正方向的VGS瞬态电压，还会引起器件的误导通，导致该器件或电路其它器件产生瞬态电流过载。解决的办法是适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅-源间并接阻尼电阻，或并接约20V的齐纳二极管，尤其要防止栅极开路工作；
② 防止开关过程的漏-源过电压。如果器件接有感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比外电源还高的漏极尖峰电压，导致器件击穿。功率MOSFET关断得越快，产生的过电压越高。为此，需在MOSFET中设置保护电路来吸收浪涌电压。解决方法一般为加入RS缓冲电路和感性负载的二极管箝位电路。
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