SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽
即使是RDRAM，在很多方面也是与SDRAM相似的，而至于DDR与DDR-Ⅱ、QBM等形式的内存更是与SDRAM有着紧密的联系。
SDRAM内存模组与基本结构
我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。
PC133时代的168pin SDRAM DIMM
1、 物理Bank
传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线 的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市 时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank的概念。
不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。
2、 芯片位宽
上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这 样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需 要8颗了。
以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要。所以，芯片组开始可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作，这就有了芯片组支持多少（物理）Bank的说法。而在Intel的定义中，则称P-Bank为行（Row），比如845G芯片组支持4个行，也就是说它支持4个P-Bank。另外，在一些文档中，也把P-Bank称为Rank（列）。
DIMM是SDRAM集合形式的最终体现，每个DIMM至少包含一个P-Bank的芯片集合。在目前的DIMM标准中，每个模组最多可以包含两个P-Bank的内存芯片集合，虽然理论上完全可以在一个DIMM上支持多个P-Bank，比如SDRAM DIMM就有4个芯片选择信号（Chip Select，简称片选或CS），理论上可以控制4个P-Bank的芯片集合。只是由于某种原因而没有这么去做。比如设计难度、制造成本、芯片组的配合等。至于DIMM的面数与P-Bank数量的关系，在2001年2月的专题中已经明确了，面数≠P-Bank数，只有在知道芯片位宽的情况下，才能确定P -Bank的数量，大度256MB内存就是明显一例，而这种情况在Registered模组中非常普遍。有关内存模组的设计，将在后面的相关章节中继续探讨。
SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法
1、逻辑Bank与芯片位宽
讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列如同表格，将数据“填”进去。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元。这个表格（存储阵列），它就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
L-Bank存储阵列示意图
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank。由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。所以将SDRAM内部分割成多个L-Bank。较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM 规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了32个，DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量是8个。
所以寻址时要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。内存访问，一次只能是一个L- Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。某些厂商将L-Bank中的存储单元称为Word （此处代表位的集合而不是字节的集合）。
SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效。
2、内存芯片的容量
内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量
在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M， 精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte）。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是 64Mbit（8MB）。
M×W是最简单的表示方法。但是最正规的形式之一是上图
我们可以计算一下，结果可以发现这三个规格的容量都是128Mbits(16MB)，只是由于位宽的变化引起了存储单元的数量变化。从这个例子就也可以看出，在相同的总容量下，位宽可以采用多种不同的设计。
3、与芯片位宽相关的DIMM设计
总容量相同位宽不同的设计，主要是满足不同领域的需要。P-Bank的位宽是固定的（芯片位宽确定），一个P-Bank中的芯片个数也就确定了。而P-Bank对芯片集合的位宽有要求，容量没有。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单些（使用芯片少），但在芯片容量相同时，这种DIMM的容量比不上采用低位宽芯片的模组，因为低位宽芯片的模组在一个P- Bank中可以容纳更多的芯片。比如上文中的内存芯片容量都相同。如果DIMM采用双P-Bank+16bit芯片设计，那么只能容纳8颗芯片，计128MB。但是可以容纳32颗4bit位宽的芯片，计512MB。DIMM容量前后相差出4倍，可见芯片位宽对DIMM设计的重要性。因此，8bit位宽芯片是台式机上容量与成本之间平衡性较好的选择。而高于16bit位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合，如显卡等，至于4bit位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域，基本不会在标准的Unbuffered 模组设计中出现。
SDRAM的引脚与封装
内存芯片要想工作，必须要与内存控制器有所联系，同时供电也是必不可少的，而且数据的传输要有一个时钟作为触发参考。SDRAM在封装时就留出相应的引脚。
我们从内存寻址的步骤缕下来就基本明白了，从中我们也就能了解内存工作的大体情况。SDRAM与DIMM一样，有自己的业界设计规范。在一个容量标准下，SDRAM的引脚/信号标准，要顾及多种位宽，然后尽量给出一个通用标准，小位宽的芯片也许会空出一些引脚，但高位宽的芯片可能就全部用上了。不过容量不同设计标准也会不同。一般的容量越小的芯片所需要的引脚也就越小。
1、内存控制器要先确定P-Bank的芯片集合，然后才对这集合中的芯片寻址。要有一个片选信号，它一次选择一个P-Bank的芯片集（根据位宽的不同，数量也不同）。被选中的芯片将同时接收或读取数据，所以要有一个片选信号。
2、对所有被选中的芯片统一进行L-Bank寻址。目前SDRAM中L-Bank的数量最高为4个，所以需要两个L-Bank地址信号（22=4）。
3、对被选中的芯片统一 行/列（存储单元）寻址。根据芯片组织结构分别设计地址线数量。相同容量下，行数不变，列数根据位宽不同来变化。位宽越大列数越少，因为所需的存储单元减少了。
4、通过与位宽相同数量的数据I/O通道，对被选中的芯片统一传输数据。（要有相应数量的数据线引脚）。
台式机上SDRAM在不同容量下的各种位宽封装标准
SDRAM芯片初始化、行有效、列读写时序
在SDRAM芯片内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。每次开机时SDRAM要先初始化控制逻辑核心。关键阶段是设置模式寄存器（MR，Mode Register），即MRS（MR
Set）。MRS由BIOS控制的北桥芯片执行，寄存器的信息由地址线来提供。预充电和刷新在下文讲述。
SDRAM在开机时的初始化
初始化完成后，要对一个L-Bank中的阵列进行寻址，首先要确定行（Row），使之处于活动状态（Active），然后再确定列。行有效可以与片选和L-Bank的定址（之前的操作）同时进行。
寻址信号与读写命令同时发出。虽然地址线与行寻址共用，但CAS（Column Address Strobe）列地址选通脉冲信号可以区分行与列寻址的不同，配合A0-A9，A11（本例）确定具体的列地址。
在发送读写命令时，必须与行有效命令间隔（tRCD），即RAS to CAS delay，即行选通周期。这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数，可以通过主板BIOS经过北桥芯片进行调整，但不能超过厂商的预定范围。广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位。tRCD=2代表延迟周期为两个时钟周期。确切的时间要根据时钟频率而定，对于PC100 SDRAM，tRCD=2代表20ns的延迟，PC133则为15ns。
Latency），只在读取时出现。CL的单位与tRCD一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。
数据写入也是在tRCD之后，但此时没有了CL（记住，CL只出现在读取操作中），行寻址与列寻址的时序图和上文一样，只是在列寻址时，WE#为有效状态。
Back）。tWR至少占用一个时钟周期或再多一点（时钟频率越高，tWR占用周期越多）。
突发指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式。连续传输涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度（Burst
Lengths，简称BL）。目前内存控制器一次读/写P-Bank（8个字节）位宽的数据。但现实中小于数据一般都大于8个字节，所以一般要经过多个周期传输数据。读/写操作一次对一个存储单元进行寻址，如果要连续读/写，还要对当前存储单元的下一个单元进行寻址，即要不断发送列地址与读/写命令（行地址不变，所以不用再对行寻址）。
读/写延迟相同可以让数据的传输在I/O端是连续的，但它占用了大量内存控制资源，连续传输数据时无法输入新命令，效率很低（早期FPE/EDO内存就是以这种方式连续传输数据）。
在MRS（设置模式寄存器）阶段除了要设定BL数值之外，还要具体确定读/写操作的模式以及突发传输的模式。
[if !supportLists]· [endif]突发读/突发写：读与写都是突发传输的，每次读/写持续BL设定的长度。
[if !supportLists]· [endif]突发读/单一写：读是突发传输，写只是一个个单独进行。
DRAM要不断刷新（Refresh）才能保留住数据。它与预充电中重写的操作一样，都是用S-AMP先读再写。预充电是对一个或所有L-Bank中的工作行操作，并且是不定期的。刷新有固定周期，依次对所有行操作，来保留长时间没有重写的存储体中的数据。与所有L-Bank预充电不同的是，刷新的行指所有L-Bank中地址相同的行，而预充电中各L-Bank中的工作行地址并不一定相同。
公认标准中，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），即每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。内存规格中会有4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，4096与8192代表这个芯片中每个L-Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔随总行数而变化，4096行时为15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行时就为7.8125μs。
刷新有两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。刷新不需要外部提供行地址信息，它是内部的自动操作。
[if !supportLists]· [endif]自动刷新(AR)：用SDRAM内部有的行地址生成器（也称刷新计数器）依次生成行地址。对一行中的所有存储体进行，无需列寻址，或者说CAS（列地址选通脉冲）在RAS（行地址选通脉冲）之前有效。AR又称CBR式刷新（CAS Before RAS，列提前于行定位）。刷新过程中所有L-Bank停止工作（因为刷新涉及到所有L-Bank），每次刷新占用的时间为9个时钟周期（PC133标准），之后就可以进入正常工作状态。即在这9个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms后再对同一行刷新，如此循环。刷新会对SDRAM性能造成影响，这是DRAM相对SRAM（静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时付出的代价。
[if !supportLists]· [endif]自刷新(SR)：主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存。这方面最著名的应用就是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。发出AR命令时，将CKE（时钟有效脚）置于无效状态，从而进入SR模式。此时根据内部的时钟进行刷新操作，不再依靠系统时钟工作。在 SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。
9. 数据掩码
在讲述读/写操作时，我们谈到了。BL=4时（突发长度4，4x64bit），采用数据掩码（Data I/O Mask，简称DQM）屏蔽不需要的数据。内存通过DQM，控制I/O端口取消特定数据的输出或输入。被屏蔽的数据在读取时仍会从存储体传出，但会在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。DQM由北桥控制，为精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节，每个DIMM有8个DQM信号线，每个信号针对一个字节。两个4bit位宽芯片共用一个DQM信号线，一个8bit位宽芯片占用一个DQM信号，两个DQM引脚对应一个16bit位宽芯片。SDRAM官方规定，在读取时DQM在发出两个时钟周期后生效，写入时DQM与写入命令一样立即生效。
图解SDRAM工作流程：仓库物语
货物基地（主板）连接着物资（数据）的供求方。基地的货物调度厂房（北桥芯片）掌管着若干个用于临时供货/生产与存储的仓库基地（P-Bank），它们通 常隶属于某一仓储集团（DIMM），这种基地与调度厂房之间必须由64条传送带联系着（P-Bank位宽），每条传送带一次只能运送一个标准的货物 （1bit数据），而且一次至少要传送64个标准货物，这是它们之间的约定，仓库基地必须满足。
上图是一个仓库基地（P-Bank），由4个大仓库（内存芯片）组成。每个大仓库为基地提供16条传送带（芯片位宽16bit），加起来刚好64条。每个大仓库里都有四个规模和结构相同的子仓库（L-Bank），它们都被统一编了号。而子仓库中有很多层（行），每层又有很多储藏间（列），每个储藏间可以放16个标准货物，虽然子仓库的规模很大，但每一层和每一个房间都是编好了号，而且每一层都有 一个搬运工在值班。
为方便联系外界，仓储集团与调度室设置了专线电话，和国家一样，每个仓库基地有一个区号（片选），另外还有四个子仓库号码（L-Bank地址），是所有大仓库共享的，一个号码对应所有大仓库中编号相同的子仓库。而专线电话的数量也是四个，这样可保证与某个子仓库通话时不会妨碍给其他子仓库打电话。每层子仓库则设立分机给搬运工使用。子仓库的楼下就是传送带，找到货物就扔到上面。但每个大仓库只有一个传送带，也就是说同一时间内只能有一个子仓库在工作。每个子仓库都有一个自己的生产车间（读出放大器）负责指定货物的生产，并且每个大仓库都有一个外运站（数据输出寄存器）和寄存托运处（数据输入 寄存器与写入驱动器）与传送带相连。外运站负责货物的输出中转，寄存托负责所接受货物并寄存然后帮助搬运工运送到指定储藏间。那么它是如何与调度厂房协同工作的呢？
1、需求方有货物请求了，这个请求发送到调度厂房，调度人员开根据货主的要求给指定的子仓库打电话，电话号码是：区号+子仓库号码+楼层分机（片选+L-Bank寻址+行有效/选通）。那一层的搬运工接到电话后就开始准备工作。
2、当搬运工点亮所有储藏间的门牌（tRCD）之后，调度人员会告诉搬运工，货物放在哪个储藏间里（列寻址），如果货物很多并且连续存放，调度员会通知搬运工：“一会儿要搬的时候，从起始房间开始连续将后面的n个房间的货物都搬出来，我就不再重复了”（突发传输）。但他告诉搬运工要等一下，要求 所有大仓库的人员统一行动，先别出货。
3、根据事先的规定，搬运工经过指定时间后将货物扔到传送带上，传送带开始运转并将货物送到生产车间，由它来复制出全新的货物，然后再送到传送带上通过外运站向调度厂房运去。人们通常把从搬运工找到具体储藏间开始，到货物真正出现在送往调度厂房的传送带上的这段时间称之为“输出潜伏期”（CL），而从值班人把货物扔到传送带到货物开始传向调度厂房的这段时间，被称为“货物输出延迟”（tAC），它体现了值班人员的反应时间和生产车间的效率，也影响着仓库基地所在集团（DIMM）的名声。
4、在这个搬运工工作的同时，由于电话对于编号相同的子仓库是并联的，所以其他子仓库相同楼层的搬运工也收到相同的命令，从相同编号的房间搬出货物，运向各自的生产车间。此时，同一批货物同时出现在各自的16条传送带上，并整齐地向调度厂房运去。
5、当货物传送完后，原始货物还要送回储藏间保管，但如果没有要求，货物可以一直保留在生产车间，如果再有需要就再生产，而不用再麻烦搬运工了（读出放大器相当于一个Cache）。调度人员接着会进行下一批货物的调度，当他发现下一批货物在上次操作的子仓库中，但不在刚才通话的那一层，只能再 重新拨电话。这时，他通知各子仓库货物翻新运回，清理生产车间，之后挂断电话（预充电命令），这一切必须要在指定时间里（tRP）完成，然后才能给新的楼层打电话。搬运员接到通知后，就将这一层中所有房间的货物都拿到生产车间进行翻新（没有货物的就不用翻新），然后再搬回储藏间。干完这一切之后，搬运工挂了电话（关闭行）就可以休息了，他们称 这种工作为“货物清理返运”（预充电）。这个工作的速度也要快，否则同样会影响集团名声。这个工作可以让搬运工自动完成（自动预充电），只需调度员在当初下搬运指令时提醒一他：“货物运送完了，就进行货物清理返运吧，我不管了”（用A10地址线）。
6、当有货物要运来存储时，调度员在向子仓库发送货物的同时就给指定的楼层打电话，让他们准备好房间，此时货物已经到了寄存托运处，没有任何的运送延迟 （写入延迟=0），搬运工在托运间的帮助下，向指定的储藏间运送货物，这可需要一定的时间了，他们称之为货物堆放时间（tWR），必须给足搬运工们这一时间，不能在这期间里让他们干其他的工作，否则他们会令货物丢失并罢工。
SDRAM的结构、时序与性能的关系（上）
SDRAM的时序与性能间有特定的关系，它不在局限于芯片本身，而是从整体的内存系统去分析。比如CL值对性能的影响有多大。对于内存系统整体而言，一次内存访问就是对一个页的访问，这个页的定义已经在解释Full Page含义时讲明了。因为P-Bank中每个芯片的寻址都一样，所以页访问可以等效为对每芯片中指定行的访问。 但为了与官方标准统一，在下文中会经常用页来描述相关的内容。
一、影响性能的主要时序参数
影响性能并不是指SDRAM的带宽。频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能越好。
非数据传输时间的主要组成部分是各种延迟与潜伏期。三个参数对内存的性能影响至关重要：tRCD（行选通周期）、CL(读取潜伏期)和tRP(预充电有效周期)。每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值。
以内存读取为例。tRCD决定了行寻址（有效）至列寻址（读/写命令）之间的间隔，CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间， tRP决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。下面是读取时可能遇到的情况（分析写入操作时不用考虑CL即可）：
1、要寻址的行与L-Bank是空闲的。也就是说该L-Bank的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中（PH，Page Hit）。
2、要寻址的行正好是前一个操作的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为CL，这就是所谓 的背靠背（Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或页直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
3、要寻址的行所在的L-Bank中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时必须进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。总耗时就是tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失（PM，Page Miss）。
PFH是最理想的寻址情况，PM则最糟。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR——PH Rate、PFDR——PFH Rate、PMR——PM Rate。系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高PHR与PFHR，同时减少PMR，来提高内存工作效率的目的。
二、增加PHR的方法
这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高PHR。
[if !supportLists]· [endif]自动预充电技术：它自动的在每次行操作之后进行预充电，减少日后对同一L-Bank不同行寻址时发生冲突的可能性。但如果要在当前行工作完成后马上打开同一L-Bank的另一行工作时，仍存在tRP延迟。
[if !supportLists]· [endif]L-Bank交错预充电：VIA的4路交错式内存控制就是在一个L-Bank工作时，对下一个要工作的L-Bank进行预充电。预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L -Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了。目前VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU算法进行预充电管理。
三、增加PFHR的方法
自动预充电或者交错工作的方法都无法消除tRCD带来的延迟。所以要尽量让一个工作行，在预充电前尽可能多的接收多个工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下CL所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。
这由北桥芯片负责。在上文时序图中的参数tRAS（Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期）有一个范围，一般是预充电命令至少要在行有效命令5个时钟周期后发出（PC133标准），最长间隔视芯片而异（基本在120000ns左右），否则可能使工作行的数据丢失。所以一个工作行从有效（选通）开始，可以有120000ns的持续工作时间而不用预充电。只要北桥芯片不发出预充电（包括允许自动预充电）命令，行打开的状态就会一直保持。在此期间，对该行的任何读写也不会有tRCD的延迟。如果北桥芯片同时打开的行（页）越多，则PFHR越大。同时打开不是指对多行同时寻址（那是不可能的），而是多行同时处于选通状态。一些SDRAM芯片组的资料中会有，可以同时打开多少个页的指标，这可是决定其内存性能的一个重要因素。
可同时打开的页数也存在限制。根据SDRAM的寻址原理，同一L-Bank中只能有一个打开的行（S-AMP只能为一行服务），这限制了可同时打开的页面总数。以SDRAM有4个L-Bank，北桥最多支持8个P-Bank为例，最多只能有32个页面能同时打开。如果只有一个P-Bank，就只剩下4个页面，有几个L-Bank才能有同时打开几个行而互不干扰。Intel 845的MHC虽然可以支持24个打开的页面，那也是指6个P-Bank的情况下（845MCH只支持6个P-Bank）。845已经发挥到了极致。
同时打开页数多了，也对存取策略提出了一定的要求。要尽量使用已打开的页保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）才考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读/写。而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限，就需要一个替换策略，一般都是用LRU算法，这与VIA的交错控制大同小异。
SDRAM的结构、时序与性能的关系（下）
四、内存结构对PHR的影响
这是结构设计上的问题，所以单独来说。在介绍L-Bank时曾提到，单一L-Bank会有严重的寻址冲突。如果只有一个L-Bank，那么除非是背靠背式的操作（PFH），否则tRP、tRCD、CL（读取时）一个也少不了。内存交错之所以能实现就是因为有多个L-Bank， L-Bank数量与页命中率的关系(PHR基本上可以等于“（L-Bank数-1）/L-Bank数”。
SDRAM有4个L-Bank，页命中率就是75%，DDR-Ⅱ SDRAM最多有8个L-Bank，PHR最高为87.5%。RDRAM则最多有32个L-Bank，PHR到了惊人的96.875%，这也是当时RDRAM攻击SDRAM的一主要方面。
但L-Bank多了，相应外围辅助的元件也要增加，比如S-AMP，L-Bank地址线等等。在RDRAM的介绍中，我会讲到L-Bank数量增多后所带来的一些新问题。
五、读/写延迟不同对性能所造成的影响
读取SDRAM时会有CL造成的延迟，而在写入时则是0延迟。在读之后马上进行写的话，由于没有写延迟，数据线不会出现空闲期，保证了数据总线的利用率。但若在写之后马上进行读的话，即使是背靠背式进行，仍然会由于tWR与CL造成间隔，这期间数据总线的空闲影响到了利用率受。
先写后读，由于保证写入的可靠性，读取命令在tWR之后发出，并再经过CL才能输出数据，本例中CL=3，造成了两个时钟周期的总线空闲。
在突发读取过程中，想立刻中断并进行新的读操作，和读后读模式（见“突发连续读取模式图”）一样，只是新的读命令根据需要提前若干个周期发出，经过CL后就会自动传输新的数据。但若想中断读后立即写，就需要数据掩码（DQM）来屏蔽写入命令发出时的数据输出，避免总线冲突。根据芯片设计不同，有时可能会浪费一个周期进行总线I/O的调转，此时一个周期的总线空闲也是不可避免的。
突发读后写时的操作，以本图为例，在最后一个所需数据（本例为第一笔数据）输出前一个周期使DQM有效，屏蔽第二笔数据的输出；2、发出写入命令，此时所读取的第二笔数据被屏蔽。3、继续 DQM以屏蔽第三笔数据的输出。其中tHZ表示输出数据与外部电路的连接周期，tDS表示数据输入准备时间，如果tHZ+tDS>tCK，那么写入 操作就要延后一个周期，这要视芯片的具体设计而定（上图可点击放大）
六、BL对性能的影响
从读/写之间的中断操作我们又引出了BL（突发长度）对性能影响的话题。BL的长短与其应用的领域有着很大关系，下表就是目前三个主要的内存应用领域所使用的BL，这是厂商们经过多年的实践总结出来的。
BL越长，对于连续的大数据量传输很有好处，但是对零散的数据，BL太长反而会造成总线周期的浪费。以P-Bank位宽64bit为例，BL=4时，一个突发操作能传输32字节的数据，但如果只需要前16个字节，后两个周期是无效的。如果需要40字节，需要再多进行一次突发传输，但实际只需要一个传输周期 就够了，从而浪费了三个传输周期。而对于2KB的数据，BL=4的设置意味着要每隔4个周期发送新的列地址，并重复63次。而对于BL=256，一次突发就可完成，并且不需要中途再进行控制。不少人都因此表示了BL设定对性能影响的担心。
所以可以通过写命令、DQM、读命令的配合/操作，完全可以任意地中断突发周期开始新的操作，而且DQM还可以帮我们在BL中选择有用的数据，从而最大限度降低突发传输对性能带来的影响。另外，预充电命令与专用的突发传输终止命令都可以用来中断BL，前者在中断后进行预充电，后者在中断后不进行其他读/写操作。
专用的突发停止命令可用来中断突发读取，其生效潜伏期与CL相同。对于写入则立即有效（上图可点击放大）
用预充电命令来中断突发读取，生效潜伏期与CL相同，要小于或等于tRP。写入时预充电在最后一个有效写入周期完成，并经过tWR之后发出，同时立即中断突发传输
所以，突发周期的中断并不难，但用短BL应付大数据量存取需要不断的指令与列寻址配合，而为了取消不需要的传输周期，由于需要运用额外的控制，也将占用不 少的控制资源。所以BL针对不同应用领域有不同设计的主要目的，就是在保证性能的同时，系统控制资源也能得到合理的运用。
https://wenku.baidu.com/view/acfdfed733d4b14e8524687f.html?pn=50
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