华为正在崛起

国产光刻机大突破，华为还有机会？根据6月10日上海微电子公司传来的最新消息显示，上海微电子公司将在2021-2022年交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。

这台光刻机的出现，一下子将我国光刻机水准从90nm提高到了28nm的精度，并且根据业内人士介绍，上海微电子研发的这台光刻机将采用ArF光源，在多次曝光下可以实现对11nm制程芯片的研发。如果改用更高精度的工作台，还能实现7nm制程芯片的生产。

这也就是说，很快我国在7nm芯片制程上将能够实现自主研发了，而这也只是一个开始，因为现阶段上海微电子已经开始进军极紫外高精度光刻机的研发，一旦成功，我国将真正打破ASML公司高精度光刻机的垄断，拥有自主可控的高精度光刻机，届时美国将无法在半导体芯片领域制约我国发展。