该器件为n通道、增强模式、功率MOSFET，专为大功率、高速应用而设计，如开关电源、UPS、交流和直流电机控制、继电器和电磁驱动器以及高能脉冲电路等。
描述：
漏电流-ID =9.3A@ TC=25℃
漏源电压-:vds公司= 200 v(分钟)
静态漏源极导通电阻:RDS() = 0.3Ω(Max)
切换速度快
低驱动要求
IRF630N参数：
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.3A
漏源电压（Vdss）：200V：
栅源极阈值电压（最大值）：4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：300 mΩ @ 5.4A，10V
类型：N 沟道
功率耗散（最大值）：82W
绝对最大额定参数(Ta = 25℃)：
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位置参数 默认参数 可变参数 关键字参数 命名关键字参数 参数组合
基本语法 (参数1, 参数2, …, 参数N) => { 函数声明 }//相当于：(参数1, 参数2, …, 参数...
本文标题：IRF630N参数
本文链接：https://www.haomeiwen.com/subject/uuteaqtx.html
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