电源芯片PN8160内置MOS，内置CS电阻，高低压分频，超低待机功耗，EMI特性非常好，变压器不需屏蔽过EMI，输出肖特基无需散热片，满足欧洲最严格能效标准同时还可将整体成本降低5%-8%。
PN816012V/2A六级能效具体方案优势：多模式（QR-PWM+QR-PFM+BURST-MODE）；专利高压启动模块+低工作电流；超低待机功耗小于65mW；六级能效裕量充足，消除异音；零炸机风险。
PN8160方案特性：输入电压：90~265Vac全电压；输出功率：24W(Typical)；平均效率：≥86.8%(满足六级能效以及 COC V5 T2 要求,输出线端 20AWG 1.5M)；待机功耗：<50mW(Vin=230Vac)；输出过压保护、VDD欠过压保护、过温保护、过载保护、输出二极管短路等保护。
骊微电子代理的PN8160内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了极为全面和性能优优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗，全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的ＥＭＩ表现。
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