结论

• 1. 几何结构（SD泄露，SFD聚集）导致中性原子在靶板附近聚集，同时该区域存在强烈的再循环，导致该区域低价碳杂质含量显著增加。
• 2. 中性氘在该区域存在非常强烈的电离，导致该区域D+密度显著增加，显著增加辐射，降低靶板温度
• 3. 碳杂质一样，同时由于non-coronal 效应，对流增加输运，D辐射显著增强，降低靶板温度的印象，导致该区域碳辐射显著增加
• 4. 靶板附近D杂质的聚集，导致摩擦力增大，显著抑制杂质反流。同小的入射角度，更低的沉积粒子流，小角度鞘层抑制二次电子发射，导致外靶板溅射显著降低有效的提高了靶板寿命。同时碳杂志在靶板区域的聚集，进一步降低了芯部的杂质含量，从而获得更好的杂质屏蔽效果。
• 5. 更低的碳含量，但是由于碳主要分布在靶板，同时该区域伴随着辐射的显著增加，导致了跟梢的碳含量碳辐射却显著增加。而对于D，中性聚集以及高达3倍的电离是D辐射也显著增加。
• 6. SFD inter-null 之间显著的低极向场区域，带来靶板附近显著的流扩张，更长的连接长度，跟大的辐射体积，等优良的辐射特性。同时由于靶板区域地极向场驱动的对流导致PFR的输运显著增加，导致热流的向多打击垫风险，以上因素共同导致SFD外靶板热流显著降低。
• 7. 研究发现，随着增加，靶板温度以及热流SFD显著降低，同时总辐射SFD更高，且高功率下主要是碳辐射，表明SFD在高功率下的优势。

下一步工作

• 8. 虽然，SFD在外靶板有更好的辐射特性，但内靶板温度SFD温度更高，碳辐射没有显著增加，这从侧面说明影响靶板结构对杂质辐射影响强烈
  • 将考虑drift，看是否能够缓解内外不对称性
  • 中性和碳在外靶板区域聚集，是否注入杂质也是如此，注入杂质住状态下的SFD更加辐射实际，此时能够有效获得更好芯部约束至关重要
  • 研究靶板倾角以及靶板类型（水平或者垂直）对等离子的影响。