SFD OSP喷气存在巨大的问题（注入的Ne主要在芯部辐射）
6MW-5e19-1e19Ne
参数选择过程
尝试喷气
- D+Ne
- D+Ar
- D+C+Ne
- D+C+Ar
crash
- 问题1：输运系数在CEI太陡峭，导致，上游密度较高，不喷气时温度和热流已经很低
- 问题2：没有确定进行喷气的
- 位置
- core density
-
- 问题3：边界条件的选择
- 基于D+C初始的边界条件，导致开始时靶板的热流非常低（<1e4W）
问题1——调整输运系数（pured）
-
输运系数
image.png
-
-
上游剖面
pured-5e19-8MW
target
image.png
-
小结：选择初始边界条件导致，5e19时对应的
，似乎不满足（1/3~1/2密度下降）【2.29e19 (<
)】
需要测试
- 新的边界条件： D+Ne (0e19)
- 是否可以解决：密度剖面在CEI上凸的问题
寻找对应的SD初始状态
- 1.采用相同的输运系数
paste ke3da.last10 ki3da.last10 dn3da.last10 | awk.first+even | xyplot3 kea kia dna
-
选取相同的边界密度 （7.5e19~2.27e19）
image.png
-
SD没有发现明显的上游电子密度上凸出
SD vs. SFD
小结： SFD在相同的CEI密度时，有更高的上游密度
抽气式喷气结果分析（可能错误）
无参考价值
问题2：喷气的选择
1. 喷气位置的选择
-
od-5MW-5e19-5e19(Ne)
喷气位置
nem
image.png
image.png
-
-
isp-5MW-5e19-7e19(Ne)
image.png
image.png
image.png
image.png
-
喷气位置，单纯调整喷气element位置，可能会导致位置的影响不存在。
需要投入更多精力进行喷气位置测试
2. 喷气功率，以及密度
- 已有的功率扫描
osp-5MW-5e19-1e19(Ne)
5MW
image.png
image.png
osp-6MW-5e19-1e19(Ne)
zeff
5MW vs. 6MW
image.png
osp-7MW-5e19-1e19(Ne)
nem
image.png
image.png
image.png
image.png
osp-8MW-5e19-1e19(Ne)
image.png
image.png
image.png
image.png
image.png
上游剖面随功率变化
ne3da
image.png
喷气速率扫描（5MW）-OSP
-
osp-553(Ne)
image.png
image.png
image.png
image.png
image.png
-
电子密度异常增高（可能后续有下降过程）；密度开始下降（2020-09-02）
电子密度仍在爬升。开始下降（2020-09-02）
-
osp-555(Ne)
image.png
image.png
image.png
2020-09-02
20-09-02
-
电子密度开始下降,2.81e19
-
osp-557(Ne)
image.png
image.png
image.png
image.png
2020-09-02
image.png
-
-
osp-559(Ne)
image.png
-
密度下降到2.75e19
-
osp-559(Ne)
image.png
2020-09-02
image.png
-
下降到2.72e19
-
osp-583
2020-09-02
image.png
2020-09-02
-
上升4.0e19
-
5*
image.png
-
osp-585
2020-09-02
image.png
image.png
-
4.2e19下降
-
osp-587
image.png
image.png
image.png
-
3.4e19下降
-
osp-589
image.png
image.png
image.png
-
3.3e19下降
- osp-5811 (crash)
3.5e19下降
image.png
image.png
image.png
2020-09-02
- osp-5813
2.9e19水平
image.png
image.png
image.png
2020-09-02
2020-09-02
image.png
drift
-
t4
image.png
-
1.80~1.13e19震荡
- t6（crash）
1.6319下降
-
t7
震荡
-
1.8719上升
- neon2
异常：密度线性增加，热流1e4量级
image.png
- neon8
3.28e19 下降
image.png
image.png
Location
-
dome
image.png
image.png
-
image.png
-
isp
image.png
image.png
-
存在的问题
- 增加喷气量不改变靶板剖面
-
很低的喷气量就可以让外靶板脱靶，但是由于喷气位置对着芯部，增加喷气量，主要增加芯部的辐射，虽然，内靶板靶板温度和热流也会降低，但是由于内靶板far-SOL靶板几何结构的影响，far-SOL的温度一直无法有效降低。
- 上游喷D，crash
-
1e22 喷气速率过大，且喷气位置太靠近OMP，选择喷气位置在上游，喷气速率为1e21，目前，可运行，同时降低了内外靶板的温度。
- drift t4震荡
-
缩小时间步长，震荡幅度降低（0.2e19）
- drift，靶板剖面热流和温度显著降低
-
目前无法解释
- isp温度更高
下一步工作
- normal boundary测试（ot1
）
- normal boundary测试（ot1
- ups 喷气测试
- isp喷氘+osp喷Ne
- 目前D的喷气速率为1e20，边界密度似乎变化不大，尝试增大D喷气速率到5e20
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