IRG4PC40FD详细介绍就在这里
特征
·快速：针对中等工作频率进行了优化（硬切换时为1-5 kHz，> 20谐振模式下的kHz）。
·第4代IGBT设计提供比第3代更严格的参数分配和更高的效率
·IGBT与HEXFREDM超快速，超软恢复反并联二极管共同封装，用于桥式配置
·行业标准TO247AC封装
·第四代IGBT的效率最高
·IGBT针对特定应用条件进行了优化
·HEXFRED二极管针对IGBT的性能进行了优化。最小化的恢复特性需要较少/不需要缓冲
·设计为同等行业标准的第3代IR IR的“直接”替代品
规格信息
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：49A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.7V @ 15V，27A
功率 - 最大值：160W
开关能量：950μJ（开），2.01mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：100nC
25°C 时 Td（开/关）值：63ns/230ns
测试条件：480V，27A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：42ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO247COPAK
供应商器件封装：TO-247AC
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