英特尔10nm芯片明年上市，可能后发先至，反超台积电三星

12月12日，英特尔在其“架构日”（Architecture Day）活动上公布了10nm芯片有望明年上市。

此前，英特尔在10nm工艺制程上遇到巨大困难，以至于2015年发布Skylake架构芯片以来，英特尔一直在14nm上小修小补，甚至英特尔可能放弃10nm计划。

而此次，英特尔终于宣布将推出下一代Sunny Cove架构——一种在Skylake基础上改进、基于10nm工艺构建的增强型微架构。相比Skylake架构，Sunny Cove架构可并行执行更多指令，延迟更低、缓存更大。基于新架构的酷睿与至强芯片将于2019年下半年上市。

但英特尔推出的并非完全是10nm芯片，而是通过Foveros技术将不同性能、不同部分封装在一起，仅高性能部分使用的是10nm工艺制程。

信息源：

https://mp.weixin.qq.com/s/kUcwcs6fhnFCmz_RHsjOiA

点评

虽然台积电、三星此前已陆续推出10nm甚至7nm制程，似乎英特尔被甩在了身后；但实际上，台积电、三星采用极紫外光刻机（EUV）走了捷径，而英特尔选择了继续采用ArF DUV，原因可能是EUV实际上并未成熟，光源问题直到2017年才得到解决，而10nm的研发至少从2016年就开始了。

而且，英特尔的10nm晶体管密度就已达到1.008亿每平方毫米，而台积电的10nm只有4810万每平方毫米，明年上市的7nm才能上亿。

对于英特尔来说，虽然失去了时间上的一些先机，但突破了技术难点，之后7nm、5nm甚至3nm都可以沿用；但台积电和三星绕过去的问题，可能在未来某一天被反噬——例如，三星把新工艺称为8nm而不是期望中的7nm，可能多少遇到了问题。