RC corner

scenario 定义中包括 Mode、Corner、RC

其中 Corner （PVT）用于计算 cell delay

而 RC 用于计算 net delay

本文简要介绍如何使用 RC 参数来计算 net delay 值

下图是绕线模型示意图：

1.  每条绕线上存在线电阻 R ，计算公式如下：

其中ρ为电阻率，W*T为截面积，L为绕线长度（单位长度 L=1） 

所以绕线宽度 W 或者厚度 T 增加都会使得线电阻减小

2. 同层相邻两条绕线之间存在耦合电容，耦合电容计算公式如下

其中ξ 为介电常数，S为相邻绕线间距，T为线的厚度

所以间距增加则电容减小，厚度增加则电容增加

3. 相邻两层两条平行的绕线之间则存在表面电容，计算公式如下：

其中ξ 为介电常数，D 为相邻两层metal 的间距，W 为走线宽度

所以走线越宽，表面电容越大

知道了 R C 的计算方法，那么根据 RC 如何计算出 net delay 呢？

简单来说

net delay =~ 3 * R * C

所以 R*C 越大， net delay 就越大

一个基本的Senario包括PVT三个要素。

P Process是指Fab在生产过程中工艺、机台等的差异导致芯片的偏差。分为TT SS FF FS SF等这几类情况。

              SS：slow NMOS and Slow PMOS

              FF：Fast NMOS and Fast PMOS

其余的类推，这里的slow和fast指的是载流子迁移的速度。可以通俗的理解为Fast表示芯片速度快。

V Voltage 指得是芯片的工作电压。例如tt电压为1V ss的电压就是0.9V ff的电压就是1.1V

T Temperature 是指芯片工作的温度。例如tt的温度是0℃ or 25℃。高温就是125℃ 低温一般为-40℃

此外有些Senario还包括其他的工作状态，如DFT mode or Function mode。RC coner，如Cbest RC worst etc。

PVT三者相互组合就形成了如下的Senario。对应的解释如下。

WC：worst case slow，低电压，高温度，慢工艺 -> 一般情况下delay最大，setup 差。

WCL：worst case low-temperature，低电压，低温度，慢工艺 -> 温度反转效应时delay最大，setup差。

LT：即low-temperature，也叫bc（best case fast），高电压，低温度，快工艺 -> 一般情况下delay最小，hold差。

ML：max-leakage，高电压，高温度，快工艺 -> 温度反转效应下delay最小，hold差。

TC：typical，也叫tt，普通电压，普通温度，标准工艺 -> 各种typical。

BC：Best case。高电压，快工艺，常温0℃ or 25℃。

原文链接：https://blog.csdn.net/zyn1347806/article/details/103372344