碳杂质聚集分析
- 为什么低密度情况下SFD温度更高，辐射更低
- 低密度下，SD内外靶板，垂直靶板粒子流分别为SFD的6倍和3倍。
- 由于SFD更短的腿长，且此时碳在靶板区域聚集较少，导致偏滤器区域辐射较少
debug
read 函数不能通过data正确产生 rad_region peak
- 确定peak_scan 没问问题
- 正确使用error函数，报错处理
- 问题的关键在data structure，具体问题在peak
- read_case_s.m 定位
- 忘记matlab 密码，不能debug
- 为了跳过 98*38 跳过了 rad_reg_w 文件，
- m==98 & n==38
- 如何添加stru
- 每个case都读取 1.0 version
- 不用下载额外的structure
- 时间成本和空间成本
- 解决方案：
- 将读取的结构体放入data_t 中
- 将读取结构的函数嵌入read_file_scan中
- 主体代码不够简洁
- modules 的概念还不清晰
- 每个case都读取 1.0 version
会议摘要
- 会议网址
不能注册
- 反馈
- 功率扫描密度选择
- 使用feedback边界条件
为什么不能写——没有解释碳杂质聚集的原因。
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- 发现的结果
- 温度cleave
- 辐射并未有明显增加
- 热流显著降低
- 脱靶
- 杂质屏蔽效果
- 解释为什么会发生cleave
- 碳杂质在外靶板区域聚集,增加靶板区域辐射
- 3. 碳杂质为什么会在靶板区域聚集
- 受力分析（压强平衡）
- 外靶板位于对流区，增加跨场输运，导致far-SOL碳密度较高，使far-SOL辐射增加，温度降低
- 更低的温度，提高碳辐射效率，增加far-SOL碳辐射,扩大far-SOL辐射区域面积
- OSP附近温度开始降低
- 外靶板区域更低的靶板温度，由于压力平衡影响，碳杂质开始从内靶板通过PFR向外靶板OSP附近向far-SOL输运
- 外靶板OSP附近碳杂质含量进一步增加，导致该区域摩擦力增加，抑制杂质向上输运，进一步增加辐射，导致温度进一步降低。
- 温度进一步降低，又会促进碳杂质向外靶板区域聚集。
- 此时外靶板附近收到的热力和摩擦力合力指向靶板区域
- 抑制杂质反流导致更好的杂质屏蔽效果。
- 2. 靶板几何结构的影响
- 靶板封闭性的影响
- 选择合适密度，进行对比
- 靶板倾角对碳杂质聚集区域的影响
- 平板+倾角
structure from Sang
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- SFD 和SD 对比
- SFD 脱靶
- 温度cleave
- 热流变化
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- 辐射
- conn、fx、radiation volume.
- 碳杂质辐射
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- 碳杂质输运（碳辐射）
- 碳辐射占主导
- SFD碳杂质分布在靶板附近，SD碳杂质聚集咋PFR
- 低密度时，由于较短的偏滤器腿长，导致SFD靶板温度显著高于SD，碳溅射较强。但由于较高的温度下碳辐射的效率较低，此时SFD的总辐射较低。
- SFD由于fexp，内外靶板的垂直粒子流更低。但由于偏滤器腿长更短，导致低密度是靶板温度高于SD，由于SFD更大的低极向场区域，导致SFD特别是外靶板，有更大的辐射体积和连接长度，显著增加辐射。
- 随上游密度的增加，SFD辐射特性使外靶板温度开始降低。当上游密度达到
附近时，外靶板温度开始低于内靶板温度。外靶板温度更低，导致外靶板区域压强降低。由于SFD对流区可显著增加PFR区域的跨场输运，受压强梯度驱动，碳杂质开始从内靶板附近通过PFR向外靶板区域（开始是OSP附近），由于外靶板OSP附近处于低压区，输运到外靶板区域的碳的向上游输运被抑制。又因为外靶板附近较高的碳杂质密度，导致该区域与背景等离子体的摩擦力较大。且此区域的主导力——热力和摩擦力合力指向外靶板附近。进一步保证该区域靶板碳杂质的进一步聚集。
- cleave期间碳杂质含量的持续增加，导致靶板区域辐射显著增加。靶板温度开始非线性增加。又由于碳杂质从内靶板区域向外靶板区域输运，导致内靶板靶板温度小幅增加，内靶板垂直热流显著增加。从侧面进一步说明碳杂质从内靶板向外靶板输运。
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- 解释靶板几何形状对碳杂质聚集的影响。
- 内靶板抽气口的影响
- 靶板倾角的影响
- 靶板倾角顺时针转动2度，可以降低靶板温度峰值
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- 解释为什么SFD碳杂质含量在cleave之后会增加
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- 为什么脱靶之后，SFD的碳会向芯部输运。
- need to be done!
近期工作
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- 记录学习的英语
- done
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- 写摘要
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不知如何动笔写
- 速读——《金字塔原理》
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