产品型号：NTA4001NT1G
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：238mA（Tj）
漏源电压（Vdss）：20V
栅源极阈值电压（最大值）：1.5V@100uA
漏源导通电阻（最大值）：3Ω@10mA，4.5V
类型：N沟道
功率耗散（最大值）：300mW（Tj）
NTA4001NT1G特性：
开关速度快，门电荷低
小1.6x1.6毫米的足迹
ESD保护门
AEC-Q101合格，PPAP合格，NVA4001N
这些设备不含铅，符合RoHS
NTA4001NT1G应用程序：
电源管理负载开关
水平变化
便携式应用程序，如手机，媒体播放器，
数码相机、掌上电脑、电子游戏、手提电脑等
最大额定值(除非另有说明，否则TJ = 25℃)：
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1. 场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，...
简单解释一下MOS场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOSFET， 既Metal Oxide Semi...
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1.场效应管（AO3424）可应用于放大。由于场效应管的放大器输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用...
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场效应管的分类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽...
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本文标题：NTA4001NT1G场效应管
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