功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
优点:
即是在大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率MOSFET，其优点表现在以下几个方面：
1、具有较高的开关速度。
2、具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因此适合进行并联使用。
3、具有较高的可靠性。
4、具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。
5、具有较高的开启电压，即是阈值电压，可达2~6V(一般在1.5V~5V之间）。当环境噪声较高时，可以选用阈值电压较高的管子，以提高抗干扰能力；反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。
6、由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低。
由于这些明显的优点，功率场效应晶体管在电机调速，开关电源等各种领域应用的非常广泛。
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