2020清华832集成电路初试

一、分别求补码10011和11110的原码、反码、十进制数，并用补码求和。（2015）

二、化简具有约束项的逻辑函数，画出化简后的CMOS门电路。（2013）

给定约束项为

三、给出Reset，clk，D，Q的时序图，判断是同步还是异步清零，边沿触发还是电平触发，上升沿还是下降沿触发。

四、画出FF1和FF2的输出状态转移图或表，Z的输出序列。

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五、设计模六计数器，0-1-2-3-4-5-0-1-2-3-4-5-0。设计方案，状态转移图或表。画出电路图。

六、模电简答题
（1）基本放大电路类型________、________、_________。作为输出级_______。输入电阻最小的是________。放大倍数最大的是___________。
（2）某放大器闭环低频电压增益为10，当频率为1MHz时，增益为原来的7.07，求带宽增益积_____。
（3）集成电路级间采用______耦合，原因是_____。（还有的记不清了）
七、如图所示，各NMOS管的跨导均为,漏端输出电阻均为
（1）画出小信号等效模型。
（2）求小信号增益
（3）求带宽增益积GBW

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八、已知放大器低频增益为，且由两个位于S平面负实轴的极点。
（1）画出幅度和相位的波特图。
（2）如果接成单位增益负反馈形式，是否会发生自激？说明理由。

九、已知理想放大器增益 闭环增益为
（1）求A变化10%时，的相对变化率
（2）求F变化10%时，的相对变化率

十、硅pn结二极管，已知：p区，n区
，截面积为。设p区和n区宽度远大于少子扩散长度（室温下）(2015)
（1）求T=300K时，正向电流等于1mA时的外加电压？
（2）要使正向电流从1mA增大到1.5mA，外加电压变化多少？
十一、均匀的n型Si样品，在左边用稳定的光照均匀产生电子空穴，产生率为，若样品足够长，求稳态时样品
两边的空穴浓度分布。（已知）(2011)

均匀照射.JPG

十二、金属n型mos系统，样品浓度金属功函数为4.2eV，半导体功函数为4.32ev，二氧化硅层正电荷密度为,均匀分布在靠近金属d/2的空间内。

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（1）求平带电压
（2）求阈值电压
十三、NMOS器件，(2015)
（1）求W
（2）求