什么是场效应晶体管

　　场效应晶体管

　　场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　场效应三级管与普通三级管不同，他属于电压控制器件，其管子电流受控于栅极电压，与电子管的特性类似。

　　一、场效应管的分类

　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

　　按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

　　二、场效应三极管的型号命名方法

　　现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

　　三、场效应管的参数

　　场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

　　1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

　　2、UP 工作在开关状态下的三极管都可以叫开关管。三极管有PNP、NPN、单结晶体管等四、场效应晶体管的图片

　　GD75232DBR的参数

　　湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

　　制造商标准提前期：6 周

　　系列：NexFET

　　包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）

　　零件状态：在售

　　FET类型：N沟道

　　技术：MOSFET（金属氧化物）

　　漏源极电压（Vdss）：30V

　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：21A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V@250?A不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1560pF@15V栅源电压 Vgss：+10V，-8VFET功能：-

　　功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

　　不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：5.1毫欧@20A，8V工作温度：-55°C~150°C（TJ）安装类型：表面贴装(SMT)

　　供应商器件封装：8-VSON（5x6）

　　封装/外壳：8-PowerTDFN