ROM RAM FLASH的异同点

1. 存储器分类

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SRAM主要用在cache上，DRAM主要用在DDR上，也就是内存上

2. ROM

PROM：一次可编程存储器，它的存储阵列由带金属熔丝的二极管构成
EPROM：光可擦除可编程存储器，它的存储阵列由SIMOS管构成
E2PROM：电可擦除可编程存储器，存储单元有Float MOS管构成
FLASH：擦除和写入是分开进行的，由快闪叠栅MOS管构成，比如U盘
ROM主要是用里存储电脑的一些出厂设置信息

3. 硬盘

硬盘分为两种，一种是机械硬盘(HDD)，一种是固态硬盘(SSD)，机械硬盘主要用的是磁性材料，和RAM ROM等半导体存储介质有着本质上的不同，但是固态硬盘(SSD)用到的颗粒也是基于NAND FLASH技术。

4. NOR Flash和 NAND flash的区别

1. flash在写入之前必须先擦除才行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
2. NAND的写入速度更快，集成度更高，价格更便宜。NOR的读取速度快，能够直接在NOR FLASH上运行程序
   相同点：
3. 都是非易失性存储介质，也就是说掉电不会丢失内容

4. 在写入前都需要进行擦除
   不同点：

   
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