参考:https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%86%B6%E9%98%BB%E5%99%A8
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在蔡少棠教授1971年的论文中,他外推了对称的非线性电阻(电压与电流),非线性电容器(电压与电荷),和非线性电感(磁通量与电流)之间的的概念,并推断出“忆阻器”作为一个基本的非线性电路元件,连接磁链和电荷。对比线性(或非线性)的电阻,忆阻器有一个动态的包括过去的电压或电流的记忆的电流和电压之间的关系。其他科学家已经提出动态记忆电阻器,例如伯纳德建模的存储电阻器,但是,蔡试图引进数学一般性。
忆阻器是一种被动电子
任何封闭电路中感应电动势的大小,等于穿过这一电路磁通量的变化率。本定律可用以下的公式表达:
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根据法拉第电磁感应定律及复合函数求导法则,可见忆阻器的电压V是与电流I及忆阻值的积有关:
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