光刻化学01-光刻胶，resist

定义：见光死，就是它了

光刻胶（英语：photoresist），亦称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

名词

有些地区国家也叫它“光阻”哦

光刻胶，resist 都是它

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化学式

光刻胶通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)进行曝光。根据使用的不同波长的曝光光源，如KrF（248nm），ArF（193nm）和EUV（13.5nm），相应的光刻胶组分也会有一定的变化。如248nm光刻胶常用聚对羟基苯乙烯及其衍生物为光刻胶主体材料，193nm光刻胶为聚酯环族丙烯酸酯及其共聚物，EUV光刻胶常用聚酯衍生物和分子玻璃单组分材料等为主体材料。除主体材料外，光刻胶一般还会添加光刻胶溶剂，光致产酸剂，交联剂或其他添加剂等。

分个类吧

正负胶的定义

光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种－正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。

正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。

负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。