APM2701ACC-TRG详细介绍
类别：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A，2A
漏源电压（Vdss）：20V
栅源极阈值电压（最大值）：1V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：60 mΩ @ 3A，4.5V
类型：N 和 P 沟道
功率耗散（最大值）：830mW
端子数量：3
最小击穿电压：20 V
加工封装描述：绿色 PACKAGE-3
无铅：Yes
欧盟RoHS规范：Yes
状态：ACTIVE
包装形状：矩形的
包装尺寸：SMALL OUTLINE
表面贴装：Yes
端子形式：GULL WING
端子涂层：MATTE 锡
端子位置：双
包装材料：塑料/环氧树脂
结构：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN 二极管
元件数量：2
晶体管应用：开关
晶体管元件材料：硅
通道类型：N沟道 AND P沟道
场效应晶体管技术：金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式：ENHANCEMENT
晶体管类型：通用小信号
最大漏电流：3 A
最大漏极导通电阻：0.0650 ohm
特征
·N沟道
20V / 3A，Ros / 0w = 50m2（典型值）@Vos = 4.5VRos / 0r。= 65m2（典型值）@Ves = 2.5V
·P沟道-20V / -2A，罗斯。
ow = 90m2（典型值）@Vos = -4.5V
Rog（oM-130m2（典型值）@Vas = -2.5V
·可靠耐用
·可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）
应用
·笔记本电脑，便携式设备和电池供电系统的电源管理
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