2019-05-09

APM2701ACC-TRG详细介绍

类别：MOS(场效应管)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A，2A

漏源电压（Vdss）：20V

栅源极阈值电压（最大值）：1V @ 250uA

漏源导通电阻（最大值）：60 mΩ @ 3A，4.5V

类型：N 和 P 沟道

功率耗散（最大值）：830mW

端子数量：3

最小击穿电压：20 V

加工封装描述：绿色 PACKAGE-3

无铅：Yes

欧盟RoHS规范：Yes

状态：ACTIVE

包装形状：矩形的

包装尺寸：SMALL OUTLINE

表面贴装：Yes

端子形式：GULL WING

端子涂层：MATTE 锡

端子位置：双

包装材料：塑料/环氧树脂

结构：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN 二极管

元件数量：2

晶体管应用：开关

晶体管元件材料：硅

通道类型：N沟道 AND P沟道

场效应晶体管技术：金属-OXIDE SEMICONDUCTOR

操作模式：ENHANCEMENT

晶体管类型：通用小信号

最大漏电流：3 A

最大漏极导通电阻：0.0650 ohm

特征

·N沟道

20V / 3A，Ros / 0w = 50m2（典型值）@Vos = 4.5VRos / 0r。= 65m2（典型值）@Ves = 2.5V

·P沟道-20V / -2A，罗斯。 

ow = 90m2（典型值）@Vos = -4.5V

Rog（oM-130m2（典型值）@Vas = -2.5V

·可靠耐用

·可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）

应用

·笔记本电脑，便携式设备和电池供电系统的电源管理