1) V(BR)CBO
e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。
(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。
此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V(BR)CEO。应该注意，在此情况下，当集电结开始击穿时，IC增大，同时发射结分到的正向电压增大，使e区注入b区的电子增多，IE增大。IE的增大又将使IC进一步增大。所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压V(BR)CEO要比V(BR)CBO小
即V(BR)CEO<V(BR)CBO。
(3) V(BR)CER和V(BR)CES--b-e极之间接电阻(R) 和短路(S) 时的V(BR)CE。
在b-e极之间接电阻R后，发射结被分流。当集电结反向电流ICBO流过b极时，由于分流而使流过发射结的电流减少。所以，在上面(2) 中所说的倍增效应减小，为了进入击穿状态，必须加大VCE。也就是说，V(BR)CER> V(BR)CEO。电阻R愈小，它对发射结的分流作用愈大，所以进入击穿状态时,所需的VCE愈大。当R= 0并略去基区的体电阻rbb'则发射结相当于短路。此肘V(BR)CBO近似等于V(BR)CES。
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