1.通过布局上优化,把可能发生的干扰降到最低。
2.通过去耦和滤波的方式来减小高频信号造成的干扰
2.1在PCB的电源,地线之间接上10~100uF的去耦电容,地线>电源线>信号线
2.2数字地和模拟地分开
对抗噪能力弱,关断电流变化大的器件,以及ROM、RAM,应在VCC和GND间接去耦电容;在单片机复位端"RESET"上配以0.01uF的去耦电容;去耦电容的引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能带引线。
集成电路电源和地之间的去耦电容有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1UF。此电容分布电感的典型值是5uH。它的并行共振频率是7MHZ左右,也就是说,对于10MHZ以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHZ以上的噪声几乎不起效果,1uF、10uF的电容,并行共振频率在20MHZ以上,去除高频噪声的效果要好一些。
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