现在大容量的终端设备越来越奢侈，终端设备越来越多，智能手机平板电脑电池容量越来越大，因此，手机的常规充电方式，无法再提高充电电流，不能满足现在手机电池越来越大后，对大充电电流的要求，然而骊微电子代理的INN2215K这款同步整流的芯片却可以做到。
INN2215K是InnoSwitch-CP系列IC，集成了反激式控制器、650 V 的高压MOSFET、次级侧检测和同步整流驱动器，次级侧控制器实现对输出电压和电流的监测，根据监测结果将信息反馈至初级，进行相应的开关控制，从而实现更精确的输出电压和电流的控制，最大功率22W。芯片具有线压检测、次级检测、输出过压保护、自动重启等多种功能，FB管脚具有短路检测功能。芯片效率高、待机功耗低，适配器中应用比较多。
INN2215K是离线CV/CC反激开关集成电路,集成了650V MOSFET,Sync-Rect反馈和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布图,大大简化了低压大电流电源特别是小尺寸和高效率电源的开发和制造，支持快速充电协议USB-PD和QC 3.0,隔离电压大于3,500 VAC ,UL1577和TUV (EN60950)安全认证,和EN61000-4-8 (100 A/m) 以及EN61000-4-9 (1000 A/m)兼容,主要用在QC 3.0和USB-PD充电器。
高通QC版快充技术是目前市面上采用较多的快充技术，小米4C，小米note，三星等主流品牌均在采用此充电技术，随着高通QC3.0的发布，充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%。Quick Charge 3.0采用最佳电压智能协商（INOV）算法，可以根据掌上终端确定需要的功率，在任意时刻实现最佳功率传输，同时实现效率最大化。
随着高通QC3.0的发布，很好的弥补了QC2.0效率偏低的问题，充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%。Quick Charge 3.0采用佳佳电压智能协商（INOV）算法，可以根据掌上终端确定需要的功率，在任意时刻实现佳佳功率传输，同时实现效率佳大化。另外，其电压选项范围更宽，移动终端可动态调整到其支持的佳佳电压水平。具体来说，Quick Charge 3.0支持更细化的电压选择：以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这样，你的手机可以从数十种功率水平中选择佳适合的一档。
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