①何为RAM和ROM
RAM：随机存储器，可以随时进行读写操作，速度很快，掉电以后数据会丢失。
ROM：只读存储器，可以进行读写操作，但是写操作非常麻烦，速度相对于RAM来说很慢，掉电以后数据不会丢失。
②SRAM简介
1、 SRAM的全称叫做Static Random-Access Memory,也就是静态随机存储器。只要SRAM上电后，那么SRAM里面的数据一直保存，知道SRAM掉电。
2、 IS62WV51216（SRAM）硬件接口
地址线
19根地址线
数据线
IS62WV51216是一个16位宽的SRAM，因此就有16根数据线。
控制线
OE是输出使能信号，低电平有效，也就是主控从SRAM读取数据。
WE是写使能信号，低电平有效，也就是主控向SRAM写数据
UB和LB信号，这两根控制线都是低电平有效。UB为低电平话表示访问高字节，LB为低电平的话表示访问低字节。
③SRAM和SDRAM对比
1、 SRAM成本高，相对于SRAM
2、 SRAM容量小，相对于SDRAM
3、 SRAM无需刷新，读写速度快，相对于SRAM
因此SRAM通常作为SOC的内部RAM使用或者Cache使用。
④SDRAM简介
1、 因为SRAM最大缺点：价格高、容量小，因此诞生了SDRAM。
2、 SDRM集成度高、功耗低、成本低、适合做大容量存储，但是需要定时刷新来保证数据不会丢失。因为SDRAM适合用来做内存条。
3、 因为人们对于速度的追求永无止境，当发现SDRAM的速度不够快的时候人们就在思考如何提高SDRAM的数据，因此DDR SDRAM由此诞生。
⑤DDR简介
1、 DDR内存是SDRAM的升级版
2、 SDRAM->DDR SDRAM(相对于SDRAM来说，速度提升1倍)->DDR2 SDRAM（相对于DDR SDRAM来说，速度提升1倍）->DDR3 SDRAM(速度再提升)
⑥DDR3关键时间参数
1、 传输速率
2、 tRCD全称RAS-to-CAS Delay,也就是行寻址到列寻址之间的延迟。BANK地址和行地址同时发送，然后延迟tRCD时间，再发送列地址和读写操作。
3、 CL参数
当列地址发送以后就会触发数据传输，但是数据从存储单元到内存芯片IO接口上还需要一段时间，这段时间就是CL（CAS Latency）
4、 AL参数
image.png
a. tRCD
b. AL
c. CL
d. RL为读嵌入其，RL=AL+CL
5、 tRC参数
tRC是两个ACTIVE命令，或者ACTIVE命令到REFRESH命令之间的周期。
6、 tRAS参数
tRAS是ACTIVE命令到PRECHARGE命令之间的最小时间。
⑦MMDC控制简介
⑧DDR3L初始化与测试
这一章主要是了解DDR的发展史，如何测试DDR。
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