1、准备
（1）D-Flash的全局地址范围0x100000-0x107FFF，共32K。全分页。
（2）D-Flash读取时，都需要分页符访问。
（3）分页映射空间大小1K，地址范围0x800-0xBFF。
（4）分页符0x00-0x1F。
（5）注意，Flash空间里面的变化不能通过TBDML仿真观察，可以通过CAN/SCI等通信接口，将读回的数据上传到电脑端验证。
2、擦除、写编程的步骤
（1）设置合适的FCLK，XEP100型号建议频率设定在1MHz。
（2）读取FCLK，检查其最高位FDIVLD是否为1，如果为1，说明时钟初始化完成，可进行下一步。
（3）检查FSTAT的ACCERR、FPVIOL是否为1，如果为1，则向该位写1，清除该位（使其变为0）。
（4）按照NVM指令模式，先向FCCOBIX写索引号，再根据索引号对应的项，向FCCOB写入指令或地址或数据。具体按步骤（5）分步写。
（5）擦除操作如下：
MOVB #$00,FCCOBIX ；索引号00，对应需向FCCOB写入指令和D-Flash的高（22：16）位的地址
MOVW #$1210,FCCOB ； 擦除D-Flash指令 0x12， D-Flash全局地址从0x100000，所以这里写入10
MOVB #$01,FCCOBIX ；索引号01，对应需向FCCOB写入D-Flash的低（15：0）位地址
MOVW #$0000,FCCOB ；这里写入0x0000，D-Flash地址就是0x100000， 对应.prm里面的映射地址 第0页0x800开始。
编程4个字（8个字节），每次写D-Flash，至少一次性写8个字节。操作如下：
MOVB #$00,FCCOBIX ；索引号00
MOVW #$1110,FCCOB
MOVB #$01,FCCOBIX ；索引号01
MOVW #$0000,FCCOB
MOVB #$02,FCCOBIX ；索引号02开始，陆续向FCCOB写入4个字的数据
LDX #d_flash_dt
MOVW 2,X+,FCCOB
MOVB #$03,FCCOBIX ；索引号03，第二个字
MOVW 2,X+,FCCOB
MOVB #$04,FCCOBIX ；索引号04，第三个字
MOVW 2,X+,FCCOB
MOVB #$05,FCCOBIX ；索引号05，第四个字
MOVW 2,X+,FCCOB
（6）写入指令或相关的数据后，向FSTAT写入0x80，将其最高位CCIF置1，启动Flash指令的执行，然后检查FSTAT最高位是否变为0，检查指令是否执行完成，代码如下：
MOVB #$80,FSTAT
BRCLR FSTAT,mFSTAT_CCIF,* ； 指令执行时，最高位为0，如果再次变为1，则表示指令执行完毕。
3、读D-Flash
（1）先保存当前的EPAGE寄存器值，读数据操作完成后，需恢复EPAGE。假设需读取地址为addr的D-Flash中的数据。将addr右移10位，取低字节作为分页符EPAGE的值， EPAGE=addr>>10。 D-Flash全局地址空间 100000-107FFF（32K）。
（2）读D-Flash时，需要映射到0x800-0xBFF地址空间，空间大小为0x0-0x3FF， 因此将addr和0x3FF作&运算，再加上起始地址，就是实际用到的读取地址。 e_addr=(addr&0x3FF)+0x800
（3）分页符EPAGE设置完成，映射地址计算好后，就可以使用64k地址空间寻址的方式，读取D-Flash的数据了，代码如下：
addr DS.W 1 ；2个字节变量表示需要寻址的D-Flash地址，由于高位始终是10， 所以只取低16位地址来表示
e_addr DS.W 1
LDAA EPAGE
STAA last_epage ；保存当前的EPAGE值
LDX #10
LDD addr
lsr_addr: LSRD
DEX
CPX #0
BNE lsr_addr ；addr 右移10位
STAB EPAGE ；取addr的低字节值作为EPAGE
LDD addr
ANDA #$03
ANDB #$FF
ADDD #$800
STD e_addr ；计算得到全局地址对应的 映射地址
LDAA #$00
STAA EPAGE
LDX #sci_data ；变量：保存读取到的数据
LDY #e_addr
LDAB #4
read_df: MOVW 2,Y+,2,X+
DBNE B,read_df
MOVB last_epage,EPAGE ；恢复EPAGE
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