[半导体]2018.10—目前常见存储器的分类及原理

[半导体]2018.10—目前常见存储器的分类及原理

我们对存储器（Memory）最直白的印象就是存储数据的硬件，U盘，硬盘。对存储器的分类可以有很多种，比如：按存储器的材料，用途，保存数据的能力等等，这些分类都很少见，我们日常中所看到公众号推送文，新闻所提到的一些英文缩写DRAM、FLASH、ROM这些的时候，往往不清楚分别都是什么。

我们今天讨论的分类就是关于这些的分类。

内存中的数据是直接与CPU交互的，内存的存储能力远小于外存。内存按其存储形式分为：RAM和ROM最为常见，其中RAM又分为静态（static）和动态（dynamic）。

SDRAM属于DRAM，全称是Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，目前电脑用的内存条就是SDRAM的最新系列，也就是我们常说的DDR3（全称是DDR3 SDRAM），目前已经有商用的DDR4，越新的内存读取速度越快，并且较上一代都有很大的提升。

硬盘目前市面上有机械硬盘（HDD）、固态硬盘（SSD）

机械硬盘（HDD）:磁性碟片来存储，可以把一块硬盘看作是若干磁性介质的集合，通过一个读写磁头产生的磁场改变磁性介质的每一个磁道方向的变化进行读写处理来记录数据。所以一块新的硬盘，在装进你的电脑时是不能直接用的，需要先格式化，FAT、NFTS这些则是怎么安排磁介质的方式。所以我们买的机械硬盘有转速这一说法，7200转比5600转的存储速度快，也能理解了。

固态硬盘（SSD）：用闪存颗粒存储，闪存（FLASH）的存储原理一会再提。

U盘：全称USB闪存盘，英文名“USB flash disk”，也是闪存存储。

还有一些边缘存储器，在日常生活中已经基本见不到了，有兴趣的朋友可以自己考察一下。下面介绍一下闪存：

闪存（FLASH）：flash存储实际上是类似于MOS管的工作，写入数据只有0和1，只有在写入数据为0的时候才对实际上的材料产生影响。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。（MOS源极这些，之后会单独列一篇文章）

目前闪存有NOR和NAND两种，NAND从理论上出发，综合优势大于NOR，但是工业成品良率不高，所以一直没有完全碾压NOR，得益于工业水平的提高，目前西部数据、长江存储都在大力发展NAND存储。