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markdown15 高斯定理by阮道杰

markdown15 高斯定理by阮道杰

作者: 走不完的旅行 | 来源:发表于2019-04-13 18:22 被阅读23次

    平面、球、圆柱带电体的场强:高斯定理

    知识点


    • 电通量

    • 高斯定理

      • 高斯面
      • 矢量积分转化为标量积分
      • Q_内
    • 平面对称的电场

    • 球对称带电体的电场

      • (a)做通过某场点的同心球面作为高斯面,随后将对该面应用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}

      • (b)公式中Q_{\text{内}}是指的这个高斯面所包围的体积内部的总电量。一定要想清楚电荷到底是如何分布的。在复杂的问题中,往往需要借助电荷密度来求解。

      • (c) 设该场点的电场强度,大小为E,则该面的电通量必然为E\cdot4\pi r^{2},其中4\pi r^{2}是高斯球面的面积。

      • (d)于是得到核心方程:E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可。

    • 轴对称带电体的电场

      • (a)通过该场点做同轴圆柱作为高斯面,随后将对该面应用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}
      • (b)公式中Q_{\text{内}}是指的这个高斯面所包围的体积内部的总电量。一定要想清楚电荷到底是如何分布的。在复杂的问题中,往往需要借助电荷密度来求解。
      • (c) 设该场点的电场强度,大小为E,则该面的电通量必然为E\cdot2\pi rh,其中2\pi rh是高斯面(圆柱)的侧面积。
      • (d)于是得到核心方程:E\cdot2\pi rh=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可。

    表达题


    • 一个非闭合面的电通量,其直观物理意义是贯穿某个面(比如一张纸,一面是红色,一面是黑色)的电场线的条数。注意,这里的贯穿,是指的从一面红色,从黑色穿出;即:电场线必须跟那张纸发生“交叉”,而不能是平行。则在匀强电场(E)中,如图所示的半径为R,高度为H的半圆筒,圆筒的轴线与电场线平行。则其电通量为( )

    解答:0.

    • 一个闭合面的电通量,其直观物理意义是穿出、穿入它的电场线的次数。注意,穿出为正贡献、穿入为负贡献。则如图所示,,则其电通量为( )

    解答:0

    • 匀强电场中,平面的电通量的计算式为:

    \vec E\cdot \vec S

    • 电通量的积分表达式为:

    \int\vec{E}\cdot d\vec{S}

    • 高斯定理的公式是\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}。如图所示有三个点电荷,分别为q_{1},q_{2},q_{3}。我们画一个封闭的曲面,将q_{1},q_{2}围在里面,而让q_{3}呆在该封闭曲面的外围。在此情形下,请分析高斯定理中的各项。

    解答:封闭曲面的通量跟内电荷有关,跟外电荷无关。
    Q=
    q_1+q_2
    根据场强叠加原理,任一点的\vec{E}​
    -所有电荷__有关。


    • 所有无限大的均匀带电的平面或平板,以及由它们彼此平行合成的各种组合体,均简称“平面带电体”。画图描述这类带电体的场强特征:
    解答: markdown15 高斯定理by阮道杰
    • 任何无限大均匀带电平板,做图示的高斯面,则其通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}计算出来必然为

    解答:\frac{\sigma S}{\epsilon}

    • “平板带电体”求电场\vec{E}的思路是:(a)通过某场点,在平板两边对称地做一个圆柱型表面作为高斯面,随后将对该面应用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}
      (b)公式中Q_{\text{内}} 指的这个高斯面所包围的体积内部的总电量。一定要想清楚电荷到底是如何分布的。在复杂的问题中,往往需要借助电荷密度来求解。
      (c) 设该场点的电场强度,大小为E,则该面的电通量必然为2ES,其中S是圆柱型表面的底面积。
      (d)于是得到核心方程:2ES=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可。
      现在有一个均匀带电的平板,电量体密度为\rho,平板的厚度是D。我们想求出该平板外部,距离中心为x处的场点的电场(x>D/2)。我们过该点,做图示的高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:

    解答:2ES=\frac{\rho D S}{\epsilon_0}

    • 现在有一个均匀带电的平板,电量体密度为\rho,平板的厚度是D。我们想求出该平板内部,距离中心为x处的场点的电场(x<D/2)。我们过该点,做图示的高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:

    解答:ES=\frac{\rho x S}{\epsilon_0}

    • 无限大均匀带电平面,电荷面密度为\sigma,则其电场为

    解答:\frac{\sigma}{2\epsilon_0}

    • 组合带电体的场强请用叠加原理。考虑如图的“组合带电体”:由一个平面(电荷面密度\sigma)和一个平板(电荷体密度\rho)进行平行组合而成。则P点的场强为( ) ","

    解答:\frac{\rho D}{2\epsilon_0}-\frac{\sigma}{2\epsilon_0}


    • 所有均匀带电的球体,球壳,球面,以及由它们合成的各种“同心”组合体,均叫做“球对称带电体”。请画图表示这类带电体的场强特征

    提示:距离球心为r的各点,场强的大小都相等,并且方向一定在径向(球心——场点连线方向)上。

    • 某半径为R的均匀带电实心球体,设某场点到球心的距离是r,场强的大小是E。现在做半径为r的虚拟球面(高斯面),则该面的电通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}为( )

    解答:\frac{Q}{\epsilon_0}

    • 现在有一个均匀带电的球壳,总电量为Q,球壳的半径是R,球壳厚度可以忽略。我们想求出该球壳内部,距离球心为rM处的电场(r<R)。我们过该点,做半径为r 的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
      (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
      (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
      (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
      (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
      解出电场来,观察其规律可能为:(请理解、归纳、记忆)
      (5) 均匀带电的薄球壳,内部场强为零。
      (6) 均匀带电的薄球壳,内部场强不为零。
      进而借助叠加原理思考:有厚度的空心带电球体,空腔里的场强为
      (7) 零。
      (8) 不一定。
      则正确的是( )

    解答:(1)(5)(7)

    • 现在有一个均匀带电的球壳,总电量为Q,球壳的半径是R,球壳厚度可以忽略。我们想求出该球壳外部,距离球心为rN处的电场(r>R)。我们过该点,做半径为r的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
      (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
      (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
      (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
      (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
      解出电场来,观察其规律可能为:(请理解、归纳、记忆):均匀带电薄球壳的外部场强,( )等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
      (5) 能
      (6) 不能
      进而借助叠加原理思考:有厚度的空心带电球体,球外的场强,( )等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
      (7) 能
      (8) 不能。
      则正确的是( )

    解答:(1)(5)(7)

    • 现在有一个均匀带电的球体,总电量为Q,球的半径是R。我们想求出该球体外部,距离球心为rN 处的电场(r>R)。我们过该点,做半径为r的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
      (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
      (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
      (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
      (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
      解出电场来,观察其规律可能为:(请理解、归纳、记忆)
      (5) 均匀带电球体的外部场强,等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。

      (6) 均匀带电球体的外部场强,不等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。

      则正确的是( )

    解答:(1)(5)

    • 现在有一个均匀带电的球体,总电量为Q,球的半径是R。我们想求出该球体内部,距离球心为rM处的电场(r<R)。我们过该点,做半径为r的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
      (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}, with Q_{\text{内}}=\frac{Q}{\frac{4}{3}\pi R^{3}}\cdot\frac{4}{3}\pi r^{3}=Q\cdot(\frac{r}{R})^{3}
      (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
      (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
      (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r}{\epsilon_{0}R}
      结合以上求解过程知,均匀带电球体内部某场点的场强,可等效为( _ )集中到球心时产生的电场。<font color=""#FF0000"">(请理解、归纳、记忆)</font>
      (5) 所有电荷。
      (6) 高斯面内所有电荷。
      则正确的是( )

    解答:(1)(6)

    • 组合带电体的场强请用叠加原理。在上面几道题中,我们总结归纳了几条直观经验,具体地:
      (1) 均匀带电的薄球壳,内部场强为零。
      (2) 均匀带电薄球壳的外部场强,等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
      (3) 均匀带电球体的外部场强,等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
      (4)均匀带电球体的内部某场点的场强,可等效为高斯面内所有电荷集中到球心时产生的电场。
      结合以上四点,考虑如图的“组合带电体”:由一个实心带电球体和一个空心带电球壳进行同心组合而成。其中,实心球体电量为Q_{1},球壳电量为Q_{2}。应用点电荷公式和叠加原理,得带电体外部场点M处的电场大小为:

    解答:\frac{Q_1+Q_2}{\epsilon_0}

    • 结合以上四点,考虑如图的“组合带电体”:由一个实心带电球体和一个空心带电球壳进行同心组合而成。其中,实心球体电量为Q_{1},球壳电量为Q_{2}。应用点电荷公式和叠加原理,得空腔中场点P处电场大小为:

    解答:\frac{Q_1}{\epsilon_0}

    • 如图的“组合带电体”:由一个实心带电球体和一个空心带电球壳进行同心组合而成。其中,实心球体电量为Q_{1},球壳电量为Q_{2}。应用点电荷公式和叠加原理,得球内部场点N处的场强电场大小为E为:

    解答:\frac{Q_1\frac{r^3}{R_1^3}}{\epsilon_0}


    • 所有无限长、均匀带电的细杆、空心圆筒、实心圆柱,以及由它们合成的各种“同轴”组合体,均叫做“圆柱型带电体”。请图示这类带电体的场强特征。

    提示:距离轴线为r的各点,场强的大小都相等,并且方向一定与轴线垂直。

    • 某圆柱型带电体(红色),设某场点到轴线的距离是r,场强的大小是E。现在过该场点做一个高度为h的虚拟圆柱(蓝色,高斯面),则该面的电通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}为:( )

    解答:\frac{\pi R^2 h\rho}{\epsilon_0}

    • 现在有一个无限长、均匀带电的细棒,电荷线密度为\lambda。我们想求出距离轴线(即细棒的中心线)为rM处的电场。我们过该点,做高度为h的同轴圆柱。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:

    解答:\int_{0}^{2\pi rh}\vec{E}\cdot d\vec{s}=\frac{\lambda h}{\epsilon_0}

    • 现在有一个无限长、均匀带电、半径为R的圆柱体,电荷体密度为\rho。我们想求出带电体外部、距离轴线(即圆柱的中心线)为rM处的电场(r>R)。我们过该点,做高度为h的同轴圆柱面。设该点电场大小为E,则核心方程为:

    解答:\int_{0}^{2\pi rh}\vec{E}\cdot d\vec{s}=\frac{\pi R^2 h\rho}{\epsilon_0}

    • 现在有一个无限长、均匀带电、半径为R的圆柱体,电荷体密度为\rho。我们想求出圆柱带电体内部、距离轴线(即圆柱的中心线)为rM处的电场(r<R)。我们过该点,做高度为h的同轴圆柱。设该点电场大小为E,则核心方程为:

    解答:

    -------\int_{0}^{2\pi rh}\vec{E}\cdot d\vec{s}=\frac{\pi r^2 h\rho}{\epsilon_0}

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