上一篇文章介绍了如何在KEIL中配置ST-LINK实现一键烧写hex文件，可是，我就是想只用自动生成的KEIL文件和工程选项配置来烧写、调试，如何进行呢？
这难道不是一个多余的问题吗？难道自动生成的KEIL工程不能运行的吗？还真的不能运行（烧写失败！），详情见下：
（这也许是TouchGFX当前版本V4.10.0的小bug，期待将来升级后的版本不再有这个问题。）
TouchGFX自动生成的KEIL工程，编译是没有问题的：
图一
上图第七行可以看到，0 Error，生成了hex，没有问题。但，按下 F8 烧写快捷键，提示出错：0x9000 0000 地址开始的代码段没有找到相应的烧写算法。这是什么意思呢？让我们来简单说说MCU烧写flash的细节：
图二
不同的MCU，其配置的flash物理特性可能是有区别的，读写flash需要一些跟这个flash有关的参数，比如读写周期、等待间隔、读写总线的定义等等，这些参数就是烧写falsh的“算法”。实际进行烧写操作时是分为2个步骤的：首先需要把这些算法加载（download）到MCU内部的RAM中，然后在MCU内部运行代码来具体执行这些算法、读写flash。这样，就容易理解图一提示的错误了：烧写地址 0x0800 0000 （内部flash） 的那些代码没问题，但对于地址 0x9000 0000 （外部flash），因为没有加载对应算法，不知道该怎么读写flash、无法进行烧写。让我们来看看当前的配置中烧写算法加载的情况：
图三
图四
图四显示：默认只加载了F7片内2个地址段的flash算法，需要手动添加片外flash算法：点击 Add 按钮，在弹出的窗口中找到本文使用的F769I-DISCO板子对应的算法、并添加进来：
图五
试着按下 F8 再烧写一次，又出现了错误：
图六
提示：无法加载烧写算法！这是因为download算法文件是需要占用MCU片内RAM空间的，而这个空间大小是由KEIL默认分配好的，一般是0x1000 。现在需要扩大这个空间到0x2000：
图七
再次烧写，出现烧写的进度条，直到烧写完毕：
图八
如果多次遇到能正常开始烧写、但中途报错、中断烧写的情况，可以改为在KEIL中使用ST-LINK烧写（至少可以烧写的更快！），见这里。
下一节将介绍：如何在IAR中烧写目标文件。
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