未来芯片的连接技术（摘录）

未来芯片的连接技术（Interconnect）：未来器件之间的连接技术必须有质的突破。在芯片内部和芯片之间携带信息与功率的连接技术，在确定芯片的功率需求和性能上起着关键作用。芯片上器件的尺寸缩放、芯片外带宽、能耗与性能是推动互连技术的动力。

电路和系统设计人员总是要缩减器件的尺寸来增强芯片的功能，这就要求互连技术具有更低的延迟、更高的功效、更宽的带宽和可靠性。随着连线变得越来越窄、连线的RC延迟必然增加，功耗也会随着介电空间的减小而增加，信号完整性随之降低，串扰也越来越大，越来越长的总线使故障率上升、合格率下降。这些趋势对设计、材料及工艺构成了重大挑战。互连技术还要适应新工艺、新材料、新器件、新的芯态架构的需求。

未来的半导体芯片技术中，有潜力、能够实现10nm以下工艺节点的连接技术包括以下几个方面：

新型金属和复合材料地带当前的金属铜；

金属通孔之外的层面新型互连，例如光学和等离子体互连

新型自对准和自组装技术以提高集成密度；

自行成栅和新型二维栅材料；

光子开关器件和连接，包括光源、检测器和调制器；

旋转连接，包括用于自旋传播的新材料。

概念太多好多不懂啊，学习！！！！