1.增强型：UGS=0时，管内无沟道建立，加上UDS后，也无漏极电流ID。
2.N沟道：D和S极为N型半导体，衬底为P型半导体。
3.工作原理：
（1）UGS=0
管内无沟道建立，DS之间等价于2个背对背的二极管串联。
（2）UGS》0，UDS=0
DS之间建立反型层，即N沟道（电子）；
建成反型层时电压为UGSth（门电压）。
（3）UGS》UGSth，UDS》0
UDS固定情况下（小于击穿电压）：
UGS越大，反型层越厚，等价电阻越小，电流ID越大。
UGS固定情况下：
UDS由0增大，ID线性增大，可变电阻区（UDS增大，沟道变楔形但尚未夹断）；
UDS继续增大，ID几乎不变，饱和区（沟道出现预夹断，并随UDS增大而逐渐消失）
进入饱和区条件：UDS》UGS-UGSth或UGD《UGSth
UDS继续增大，反型层消失，同时D端PN结被反向击穿，ID迅速上升，NMOS损坏。
上述工作原理是对输出特性曲线和转移特性曲线解释。
ID为被控量，为输出。
4.UDS增大，为什么N沟道呈楔形？
UGS固定，UDS》0时，从S极往右，N沟道上的电位逐渐升高，栅极形成的电场强度减小，反型层逐渐变窄呈楔形；当UGD《UGSth时，反型层消失，出现预夹断。
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