flash系列-5-nandflash

作者: 罗蓁蓁 | 来源:发表于2017-08-14 22:13 被阅读8次

    nandflash是东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的,要在nandflash上面读写数据,需要外部加主控和电路设计。NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线,它必须以区块性的方式进行读取,NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。

    因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取,所以NANDFlash不适合取代那些用以装载程序的ROM。从这样的角度看来,NANDFlash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。NANDFlash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在NANDFlash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia,此后许多存储媒体也跟着采用NANDFlash,包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。

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