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DG403DY-T1-E3 MOS管技术资料

DG403DY-T1-E3 MOS管技术资料

作者: 维库高焕英 | 来源:发表于2019-01-05 16:31 被阅读0次

    VISHAY > MOS管

    制造商 Vishay

    产品种类 模拟开关IC

    开关数量 2Switch

    配置 2xSPDT

    导通电阻—最大值 45Ohms

    开关电压—最大值 +/-15V

    运行时间—最大值 150ns

    空闲时间—最大值 100ns

    工作电源电压 +/-15V

    最小工作温度 -40C

    最大工作温度 +85C

    安装风格 SMD/SMT

    封装/箱体 SOIC-16

    封装 CutTape

    封装 Reel

    高度 1.55mm(Max)

    长度 10mm(Max)

    系列 DG

    电源类型 SingleSupply,DualSupply

    宽度 4mm(Max)

    商标 Vishay/Siliconix

    电源电流—最大值 1uA

    双重电源电压 +/-15V

    Pd-功率耗散 600mW

    产品类型 AnalogSwitchICs

    工厂包装数量 2500

    子类别 SwitchICs

    电源电压-最大 44V

    电源电压-最小 25V

    开关直流 100mA

    零件号别名 DG403DY-E3

    单位重量 666mg

    更多技术资料欢迎查看DG403DY-T1-E3

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