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弹坑测试实验

弹坑测试实验

作者: hi武林高手 | 来源:发表于2020-03-09 14:13 被阅读0次
弹坑检测实验的目的是为了观察芯片焊盘在与键合球结合后,有无出现损伤。观察前,需要移走键合球且不能使芯片收到影响,常用的手法均使用一定浓度的强酸或强碱,加热后,把需要检测的产品放入溶液浸泡,使之于芯片表面焊盘于键合球间的铝层进行充分的反应,在无任何其他外力的影响下使键合球脱落。 键合工艺监控流程图

将用NAOH浸泡过的芯片取出,用酒精清洗产品后晾干,置于200倍显微镜下,在无任何阻力的情况下用小刀小心的将芯片上的焊球拨开,铝层是光亮的,与NAOH反应过的铝层呈暗色,用小刀轻刮芯片表面,如果有划痕,则说明铝还未完全反应,将焊球周围的铝层刮去,就可以看到如玻璃般光亮的铝层。

检验标准:

硅层上有明显可见的凹坑,用小刀在焊球周围轻划触感有明显的凹坑为严重缺陷不合格;
铝层上有轻微的坑印,用小刀在焊球周围轻划接触无明显的凹坑为轻微缺陷,合格;

硅层表面光滑无坑印,合格。

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